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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法
1 ~7 T: e7 J0 i; O一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
, E  a) j2 f' ~+ D- o: W找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
* {( k+ ]! {3 y/ j) \* Q1 t但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上8 a  d/ E. t- `9 ?& Y. a  L
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
- D4 I) p0 |+ Z1 g7 a  I9 l, D; O* {% Z- j/ u" o
一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況( j$ A; V+ u1 S
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品: l; B6 Q' N, ^
再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓. S. K2 V! a+ V2 X5 k5 ?/ y4 x
去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 ; M3 C5 h1 h9 {$ M9 y
很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上
* r4 D7 z/ Q/ Y: ~* v就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
  t& `0 R  o: q' b9 t所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
" N+ H0 k% I% ]  n6 T) s9 _讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
  k2 ?8 S* g# k2 ]7 h
7 {* W7 y: z7 T1 l最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
3 A+ g% x" i6 W# k, }5 l不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
6 f# k8 P7 f$ O' a9 k! {但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速4 c0 x; A% o& j: o0 y$ ]+ T- _
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事' H/ k4 @2 X* }
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.9 ?# N9 K6 ]! f0 Y/ P( h
何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
3 Q8 {. n3 }& T所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.  J* F1 e4 E" ^7 S0 b# ~

2 ]! F4 k! Y: T0 I7 W1 X[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選) U0 g- o6 e0 D) c0 w5 p2 K
從後段到前段難  從前段到後段易
' R7 s/ y+ t) y# L/ Q如果先做測試或設備工程師
) j+ ]$ Z, v2 T$ @很可能就會像以前我大學老師說的一樣% c3 n& g+ Q$ h' E. x
一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .; S6 T+ I2 z0 [1 Q2 t# }
PCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)5 j4 C, L% R+ |! `
The reason is the failure rate curve of  "bath tub" 2 S# {. D# t' |7 H
So we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by
/ R' G% V' c7 B8 {9 M0 R1 Ksemiconductor degradation.  k9 Z: m0 e& G& r( u
I did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.8 P. O0 ]6 R; s# i) e" g
The operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.
5 j8 U4 \3 G" N  \5 h" NOh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.
! @' I9 h% d6 ?# {+ K/ N  x  eI was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .
2 Q! h9 g* A  R6 X& h+ m: T3 P7 O7 H- N& P/ B! O
I believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.
1 q$ P9 ?3 g9 ^% N7 K' t5 b- {, A6 N& @) P5 P
EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
: ?2 {/ n! u4 f. r! J4 \& w* s: ^$ d; m* K
Do you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.9 j* I) F& O. R9 c/ B1 q
When we test some products, we should realize their specifications.
! R* q0 W/ e- J+ F5 W5 q7 L. hIf we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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