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在這邊說說我的看法
1 ~7 T: e7 J0 i; O一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
, E a) j2 f' ~+ D- o: W找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
* {( k+ ]! {3 y/ j) \* Q1 t但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上8 a d/ E. t- `9 ?& Y. a L
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
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一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況( j$ A; V+ u1 S
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品: l; B6 Q' N, ^
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓. S. K2 V! a+ V2 X5 k5 ?/ y4 x
去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 ; M3 C5 h1 h9 {$ M9 y
很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上
* r4 D7 z/ Q/ Y: ~* v就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
t& `0 R o: q' b9 t所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
" N+ H0 k% I% ] n6 T) s9 _讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
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7 {* W7 y: z7 T1 l最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
3 A+ g% x" i6 W# k, }5 l不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
6 f# k8 P7 f$ O' a9 k! {但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速4 c0 x; A% o& j: o0 y$ ]+ T- _
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事' H/ k4 @2 X* }
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.9 ?# N9 K6 ]! f0 Y/ P( h
何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
3 Q8 {. n3 }& T所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了. J* F1 e4 E" ^7 S0 b# ~
2 ]! F4 k! Y: T0 I7 W1 X[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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