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在這邊說說我的看法
0 v) [ g/ g4 z一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時: D& t$ R! G6 a! b
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試$ M, H9 Z- H! U' e2 R" p
但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
1 f* ^9 T- G% P7 D. V+ c% {7 x肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.. Q3 Y6 n2 ^) @9 t$ E/ v5 }
+ g0 ^! N6 R5 ^' t- c: |一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
$ g2 v0 c% z* u9 F但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品6 Z( {) Z& c3 ]8 f
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
, b4 `) M4 H% I% k, p去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
9 \! \, E2 H, g! ~$ C很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上, L! r& N. G* |) K7 n8 i5 j8 D# f# b
就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期6 n) Y- n* L) z) N6 V
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
4 c* N; M. a5 _+ ]/ M# }" S/ m8 F6 R+ O讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
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最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命: P% `2 F4 P/ J' Z/ l/ H
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
" A4 t) B9 A* n/ u. }0 @. a但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速
4 |( r; U! d3 d6 }: g9 g畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事- i1 o/ z' M* L) x
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
, A- V' y9 E/ U1 F' w何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己5 Q7 b: w0 J& |: k
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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