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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法
0 v) [  g/ g4 z一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時: D& t$ R! G6 a! b
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試$ M, H9 Z- H! U' e2 R" p
但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
1 f* ^9 T- G% P7 D. V+ c% {7 x肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.. Q3 Y6 n2 ^) @9 t$ E/ v5 }

+ g0 ^! N6 R5 ^' t- c: |一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況
$ g2 v0 c% z* u9 F但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品6 Z( {) Z& c3 ]8 f
再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
, b4 `) M4 H% I% k, p去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
9 \! \, E2 H, g! ~$ C很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上, L! r& N. G* |) K7 n8 i5 j8 D# f# b
就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期6 n) Y- n* L) z) N6 V
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
4 c* N; M. a5 _+ ]/ M# }" S/ m8 F6 R+ O讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
  a0 K* \3 K: D% @! Y) _, x3 l/ _; {0 c6 U( r( t0 M, @
最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命: P% `2 F4 P/ J' Z/ l/ H
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
" A4 t) B9 A* n/ u. }0 @. a但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速
4 |( r; U! d3 d6 }: g9 g畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事- i1 o/ z' M* L) x
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
, A- V' y9 E/ U1 F' w何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己5 Q7 b: w0 J& |: k
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
6 r) c5 h$ d; U9 h0 l8 x# o8 p6 Z. X6 a# V* A4 ~7 U, s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選# g8 V8 c: n- C& b
從後段到前段難  從前段到後段易0 Z! f/ {6 H! h6 j. {
如果先做測試或設備工程師
/ f3 i& y9 O6 s, s$ g& b8 c1 u很可能就會像以前我大學老師說的一樣5 \) G6 i9 ]6 \; Y+ I
一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .
. z, V) {# h% g$ Y  BPCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)1 K# B, H/ W2 U3 `5 W  y. u
The reason is the failure rate curve of  "bath tub"
# t3 J5 z  E' t8 F5 l$ G4 ?. F; [So we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by 6 x8 _* o& ~* o( {& w2 `  U
semiconductor degradation.2 z2 [- j! ?9 I% f/ _1 ]
I did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.
2 L7 C$ p% N4 ~9 TThe operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.
) @6 ]7 M2 R! ~( C" QOh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.
5 s* H# T# K" V: O- Z& EI was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .
' I# t( [" a8 k/ p
. W' P3 I5 {$ `# E9 P9 `2 M! mI believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.
' ?' z* S6 t( R2 v/ D; {* Y, D! p+ v, g; |# w$ w
EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
" z8 \) b+ E' }) v, F9 t" S; k* |) u
* `2 e& T2 R# [/ a2 k' Q5 jDo you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.. b' P! T3 H8 i: X# p  b8 t
When we test some products, we should realize their specifications.2 F  c" a; e& e
If we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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