滿足市場多頻需求的氮化鎵技術

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RFMD®由一級軍事供應商獲得氮化鎵訂單  此為 RFMD 氮化鎵功率放大器的首筆訂單
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RFMD 的氮化鎵策略重點:
􀂃 使RFMD 之市場及客戶層達更多層面
1 P+ C& ~% r% p: [. Y$ B9 G􀂃 發揮 RFMD 於複合式半導體及功率放大器的專長
; W4 g0 p% S6 J& b. l$ g􀂃 延展RFMD 的整體目標市場達10 億美元，以涵蓋高功率半導體市場

北卡羅萊納州GREENSBORO ，2007 年1 月29 日–針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商RF Micro Devices, Inc. (Nasdaq: RFMD) 今日宣佈，已從一級軍事供應商獲得首筆訂單，該筆訂單之產品為運用 RFMD 的氮化鎵(GaN) 高電子遷移率電晶體(HEMT) 製程技術。 RFMD 的氮化鎵技術可操作於廣泛的微波頻率範圍，使其成為多頻及寬頻應用的理想選擇。此訂單是RFMD 氮化鎵功率放大器的首筆訂單。
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9 j# Z% ^" g5 b  g% j! {* _此項訂單產品為 RFMD RF3825 PowerIC 寬頻功率放大器，其為一項15 瓦元件，服務涵蓋率為200MHz 至1.9GHz。此 RF3825 能為軍事通訊大幅強化軟體界定無線電的頻寬。

RFMD 總裁暨CEO Bob Bruggeworth 表示：「此首筆針對專利氮化鎵製程技術的訂單，代表RFMD 在延伸客戶及市場多樣性上又跨越了一大步。由這些新市場所整合的營收機會大約為10 億美元，其將提供RFMD 非常有意義的新動力，以增加營收、毛利及利潤。我們的氮化鎵研發，部分已獲得美國政府的注意，而今日的發表，只是運用氮化鎵技術專利之許多軍事應用的一部分。
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此外， 氮化鎵技術所適用的市場不僅限於軍事方面，更包括公共行動無線電、 WiMAX 及WCDMA 基地台。RFMD 於氮化鎵領域已建立了領導地位，其將能發揮我們領導業界的複合式半導體製造資產及設計工程智慧。

RFMD 技術長Bill Pratt 表示：「氮化鎵具有獨特的電子專利，其為高功率、高效能應用提供了理想的技術。 氮化鎵擁有明顯優於矽LDMOS 技術的效率及功率密度，而這是氮化鎵在許多市場的主要競爭優勢。此外，氮化鎵技術能操作於非常廣泛的頻率範圍，而相對於其他如 LDMOS 等要求多重元件的製程技術， 氮化鎵透過單一元件，以具成本效率的方式滿足了WCDMA、WiMAX、軍事甘擾發射台及其他市場的多頻需求。」
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RFMD 目前正於北卡羅來納州Greensboro 的高量能製造廠中，運用其於複合式半導體的專業及於功率放大器的領導地位發展專利的氮化鎵技術。該公司是全球領導性的AlGaAs HBT 及 GaAsp HEMT 製造商，並且是InGaP HBT 之領導製造商，近期也發表了第二代InGaP HBT 製程。RFMD 同樣也在蜂巢式功率放大器擁有全球領導製造地位。 RFMD 於2000 年將氮化鎵技商品化，並預期於2007 上半年開始出貨。

RFMD 預計將於2007 年進一步提升氮化鎵技術，包括具備高線性、寬頻及功率輸出達200 瓦的高功率放大器(HPA) 。