现代的高压ESD

amanda_2008

最近要用到现代的高压ESD，有谁可以提供一些参考吗？
$ l' `( ^6 E  K  A/ J6 I, f因为现代那边没有提供高压的ESD rule，自己画的时候不太敢随便画，，
6 d- H$ m( S- D( m, d. h4 f4 L希望有经验的前辈能给点建议，大致的rule可以建议一下吗？

cuban487

可以請問一下你所指的高壓ESD 是幾KV阿
可以盡量寫清楚嗎...感謝

amanda_2008

我想先問一下阿，平常的工作電壓是20v，那對於ESD的畫法應該也會有差吧？
我的高壓是指芯片平時工作時的電壓是20v，而ESD的承載電壓，
是HBM2KV，MM200v，
2 X1 {- Y$ C) }5 _4 B9 K$ {3 O如果能給我一個答復，我感激涕零，
3 H, @9 Q' D4 P) Y% H) R但是不好意思，沒有米米的回報，因爲我的已經是負的了

sjhor

其實用普通的 CMOS ESD protection 就可以唷!!
! ~3 J6 q  H( v) i/ L7 [! [$ A* UPMOS/NMOS 的 diode 就可以了! 10V/per 1um width 應該就可以約列算出你所需要的 size!!
& k- p) C+ b  m8 X# N再加上 VDD/GND 的 ESD Clamp circuit 應該就可以了!!
不過  大部分的人 PMOS/NMOS 的 size >=300Um,  以3KV來設計比較好唷!!

amanda_2008

呵呵，謝謝版主同志，
/ ]( O/ Y2 ~" f% T% N9 P不過不同的工藝，我是怕ESD的rule待會不滿足，
比如説D端contact到gate poly的距離大致怎麽來決定，
D端或者S端到guard ring 的距離我又大致可以設為多少呢？
; z" y7 @4 m' F; p- X( H& q. R雙層guard ring之間的pitch又是多少，然後guard ring的diff的寬度要多少呢？
  f5 U4 `8 d, I/ l0 M9 C% }) _& u版主同志，麻煩你再告訴我一下哦

teaman

請您先告知大家，您要下的fab是哪家，什麼製程(process)，這樣才好回答您。
0 a" Z/ |: [: G( Z0 l; x每家的參數數值都不太一樣。
/ E/ Z3 P2 R/ Z" |. M: d
如果您手邊有該家fab的design rule manual, 裡頭應該會有ESD design rule。

m851055

一般代工廠都有ESD rules，只要照話就好了，或是請帶工廠提供也可以。
- ^5 b" p* h) k* S6 J7 N
source contact 照rules話就可以了，drain contact 一般約為source contact 3-5倍不等。

pick up 與guard ring之diffusion約為4um，pitch 一般10-20 um 不等，以上為一般之經驗，詳細需參考foundary之 design
guide。

amanda_2008

谢谢大家的热心答复
嗬嗬，我在题目里有标说是现代的哦，
! m8 l  e, r" w/ B! o& m# [其实有时候代工厂可能没有你现在要用工艺的esd rule,
& s9 `0 R: m7 c, S% @所以这个时候就只能凭经验来画了

dolphin75

多謝！
6 o; f+ X" p5 G( P* k. L1 d4 K謝謝版主了，又了解了新知識了呢！
% S1 {! S6 f# x. c/ b& e. r扫扫盲，呵呵。

semico_ljj

原帖由 sjhor 於 2007-6-1 08:56 AM 發表
5 W# Z/ T8 @, I$ }9 v其實用普通的 CMOS ESD protection 就可以唷!!
4 J* X9 a; G! `0 _* I! HPMOS/NMOS 的 diode 就可以了! 10V/per 1um width 應該就可以約列算出你所需要的 size!!
再加上 VDD/GND 的 ESD Clamp circuit 應該就可以了!!
不過  大部分的人 PM ...

, A& z: L3 q5 v: D
"10V/per 1um width "有疑义,因为比如W=300um,L=0.5um与L＝0.35um应该有很大差别吧！

ritafung

如果是高壓的FDMOS,難度更高!因為這種device天生不利ESD.

lethalkiss1

原帖由 sjhor 於 2007-6-1 08:56 AM 發表
$ H4 Z/ Z  Q( R( c9 V) r( ^$ {$ [10V/per 1um width

9 A2 g! R1 W6 j; n" z
9 ]( C+ ^. l7 I$ a) y# C5 [这个值是怎么来的呢？

ONLYFLYSKY

L為最小的通道長度，一般而言，通道長度愈小，靜電放電防護電晶體的耐受度愈小。增大通道長度可使靜電放電耐受度提高。但是必須同時增大防護電晶體的寬度。如此一來便會使佈局面積增大而使成本增加。

tuza2000

学习学习！！！！！！！