溫度與MODEL的矛盾，該信誰？

zorro

請教各位大大，在仿真過溫時，到達160C。但是SPICE MODEL只能到120C，我怎麽去預測呢？結果的可信度有多少？

finster

一般來說你只能相信hspice model
! B7 H$ e$ L# N  @4 S就以製程廠來說,hspice model是製程廠在這個製程中下test key,然後畫出各種size的MOSFET,然後再量出hspice 的各項參數,其中包含電壓和溫度的變化
0 \( `  V& U$ W1 s而製程廠並不是每個溫度都會作,有些製程廠在高溫或者低的hspice model是用內差或者外差的方式來推論出hspice model的特性曲線
如果你要模擬到超過120,那建議你跟製程廠提出需求,請他們提供超過120的hspice model,通常,製程廠都有這方面的服務

zorro

感謝finster大版的建議，回去跟FOUNDRY溝通一下，上次tape out就出現過一次，片子溫度過高後造成power FETs有比較大的leakage，測溫才上到140C，看來超溫時MODEL真的不能盡信。

finster

原來是Power FET呀
. I" h0 W9 A, z) }一般來說,如果是一般的digital circuit或者analog circuit,在高溫下若是TSMC或者UMC之類的model,大概就還不會偏移太多
" d( |& }' E7 ~/ B+ [  Y# \不過,若是Power FET之類的hspice model,需特別留意在高溫下的model曲線特性
5 I' X  B7 s) ?% I# \* B因為Power MOSFET的size會用的特別大,故而也會流過很大的電流,而在此情況下metal 耐電流issue和current density的問題就會跑出來,再加上超大size的Power MOSFET的導通時間和面積,這些都會影響到performance
我之前也遇過類似的問題,在大電流下Power MOSFET上不去,在高溫下也是,但在Hspice model模擬卻沒有看到
5 ?  C+ A: ]( b+ O0 t  C後來請製程廠提供WAT資料再用類似的條件模擬,發現到模擬和量測兩者的差異在某些情況下會差很大,後來也是請製程廠調整他們那邊的技術才得以解決
你這個問題可以向製程廠反應,他們應該會很有經驗