bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
" Q8 W7 ?" n" X" t可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
, [* K5 `/ r8 l4 }% t7 o.35製程
4 {: h1 \/ `; {* L& d2 aop db65
: O( W0 D7 b$ p8 U7 R不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
( f9 n: u$ W/ g( m( K$ t  j  K, J. D不知是OP還是帶差出了問題??
請各位大大幫忙

; _) B- ^8 F7 k, m- c
3 P) n! c/ h5 _3 ~# [/ X- `以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
2 n$ O% c* E4 r# E9 dbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
; B2 w6 I* W1 g8 j0 \
" t4 O5 A$ X+ G' o  ]1 G+ E
; {& a  `6 i4 q
- l. D# j, G; D# l4 o. w% _[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
0 Q6 Q& ?. E0 X2 ]2 Q+ r9 ^& e至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的

0 f* _( ^: ^; i; f: t& i& R如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
+ m7 t# w, V2 s* O, d: D. o1 S我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
7 B0 q0 [- S$ m7 Y$ b6 q這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
8 q! u& u! O& K+ e) T我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
5 d, A/ w( u+ L0 f( i5 x
你還是秀圖吧~~

5 F" c8 Y. s. O. ?mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:
' Z  D- {5 W# v( X/ W; U
  r/ J9 _; F4 D4 v帶差:
, b  T  Z+ _1 [- ^! ?5 n; g3 F
; N# L6 ^/ S0 C9 w" T# \大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
1 \/ }8 D6 N) k: G確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
& p* o' W; e9 H) Q$ S% q
; q& O$ X2 L: g! @9 ^但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
請問大大:
$ ]+ e* N& H* ?9 [9 m1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
6 c: I0 d8 p$ N% I2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
& r3 c8 q0 }+ M7 _% W4 a7 ~3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
& q! K; n8 g8 r! ]8 Z! N) v現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
- B( f; m7 n$ V% o
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

下圖左半部是幹啥用的? start-up?

如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?

如果不是...還請指教是幹啥的...
" w: T( ^. T. v8 M
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
' V" K: A8 f9 S2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
$ [! ?" a3 u9 T" r" x下圖左半部是 start-up
2 c- v# F& B6 d; w' j正常工作時可以使我的MS3在截止
) X7 f" h6 h, g請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
. O0 U- S: R3 b* {+ _主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
9 t4 E% j" }- X3 n& T1 a: i) o4 p; G因為不少人也是用這種電路當bias的
* h. g" k2 P( F0 b
/ @9 ?7 c/ U& t7 c2 g回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
( _+ D; x7 ?+ Y$ B- r$ R4 i* _以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
* z. j+ g$ Z6 m+ I: f2 g# V
我的bjt顆數比為8:1
' @& ^9 r7 N& B. s我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
2 Q- O8 z* ~& ^, e$ u
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

! ]! J- Z& p, `, m+ e' p根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

  f3 E6 {2 [2 ^所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
7 q. S# h3 n2 D$ ^- b0 Z! ]; T$ I
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
# Q. |$ e" n) {8 j- i8 ?( Q
BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫

建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
, V8 Z! ~9 @5 C/ H) T最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
: T8 r0 z7 _8 z0 {/ \我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩