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通常,我貼的附圖的電路,我只有用在Bandgap reference circuit中two-stage OP有使用到,因為這個電路是chip內部所有電路中第一個要最先工作的電路,之後就藉由Bandgap reference current來提供給產生出bias voltage generator circuit使用,而chip內部的其他two-stage OP或者folded-cascode OP就直接用bias voltage generator circuit所產生出來的bias voltage
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之所以會有不同應用的理由,那是因為當chip一開始動作時(電源電壓一開始由0V昇到正常穩定電壓),所有two-stage OP或者folded-cascode OP的bias voltage均由bias voltage generator circuit所提供,而bias voltage generator circuit又由Bandgap reference current所提供,而Bandgap refernece current又需要由Bandgap reference中的OP來產生出來,所以,這是一個動作流程順序的開始,如果,chip內部沒有Bandgap reference circuit,那我通常都用我貼的附圖來取代Bandgap refernece circuit,如我前面所言,附圖的架構和Bandgap reference circuit兩者的最大差別乃在附圖電路並沒有作溫度的補償,除此之外,其實功能皆差不多,故而只要在後續電路中特別留意溫度的變化即可1 o" }- B/ V" F( N
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接下來回答st80069的問題,如我剛才所言,我不會用我貼的附圖直接作為folded-cascode OP的bias voltage generator circuit,因為附圖的架構其實並不適合直接用在folded-cascode OP,如你所言,folded-cascode OP需要三個bias voltage,而附圖只有一個bias voltage可以提供,這是無法直接使用的原因之一,再者,因為folded-cascode OP的output stage是用cascode方式,和附圖的方式是不同的(單一級的PMOS),故而直接採用的話,無法作到matching的bias voltage & current mirror,如此一來其folded-cascode OP的gain會受到很大的限制,而且size會很難調+ M; e/ W. G8 w+ p2 t& \
我的作法都是由附圖來產生一個bias current,然後再由這個bias current提供給high-swing bias cascode voltage generator circuit,這個樣子才能提供給一個較符合folded-cascode OP的bias voltage
% g* [4 s- e, J: J# T, C$ T雖然這種方式比較複雜且麻煩,不過,folded-cascode OP的performance會比較好,而且也比較不會出問題 |
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發表於 2008-8-21 13:34:57
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