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[問題求助] 設計interdigital capacitor

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1#
發表於 2007-9-20 00:24:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?) _( s9 ~0 e! k$ z1 k
我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,
6 X  L; M: C) y, K9 Z模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!
8 Q2 f. I: I4 y& W
( z; F' q8 a4 b3 \& ?; P8 I有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !
! s* S; p1 g- X. Rthanks all
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2#
發表於 2007-9-21 12:12:29 | 只看該作者
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。  K+ B" {( F: z$ M0 V; R, ?; ?
我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。/ g- K1 f8 F- J, t6 i2 a
下面是找到的一个公式,是否有用?
. X, J. u. G" }  H7 f# W+ ]  h% }, D# P3 j* Q+ S7 o( O( P4 L/ [' {
还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?
5 C. Q7 l& E, x; H7 L0 Q7 q这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?

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3#
發表於 2008-5-26 16:39:37 | 只看該作者
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
4#
發表於 2008-5-26 16:42:09 | 只看該作者
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
5#
發表於 2008-5-27 12:53:43 | 只看該作者
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算
1 N4 q( F. X! G2 P! j" G- i因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣
) X5 T0 \4 X" @2 L若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的
. h% G9 H# m5 o# }% T而且,還要考慮到mask誤差的問題
4 V5 b7 N' Q& _4 @6 u1 B另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距
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