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[問題求助] 請教antenna的問題

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1#
發表於 2008-5-9 15:01:28 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這是目前在做whole chip整合發生的問題,當我antenna跑完,使用4 p  M( m) @  {/ w) R: A9 _8 C
antenna diode去補後,antenna過了,但是lvs卻發生問題,某些線會% X; }& h7 O3 F4 h$ s( n' L9 z
因為diode而有error,是類似斷線的錯誤,有些不會,當我不使用diode: e; B5 N5 E7 r) a5 h2 h
而用換層的方式,卻又正常了,這到底是什麼原因.我確信diode沒有
0 t5 i$ n- N5 n4 P6 D0 H, t跨在2條線間,使它們短路,也沒有放在用做區隔電壓的dummy layer5 W+ a" C( G* k* _) g
下.& b+ h  o1 d# i
還有一個換層的問題,一般從製程來說是朝上換,是沒有疑問的,就我( b+ p6 \- U0 d1 m5 O6 _& q; p
的理解,就朝上換一層就行,但是有人說要換top metal才行,昨天辯很
2 u! U2 _3 I, H4 U: Q1 y久,當然2種都會過,不理解的是,用top metal有什麼根據會比較好.
8 h. s" U. _  ?4 r
% M, k5 _2 Z; g- p7 n8 R3 q, f) n[ 本帖最後由 sw5722 於 2008-5-9 03:07 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-5-13 23:01:39 | 只看該作者

ANTENNA

TOP METAL 比較上層所以乾淨
1 _2 ]+ P0 o; q請RD改SPI檔請他加DIODE
3#
 樓主| 發表於 2008-5-15 09:58:46 | 只看該作者
TOP METAL是可以使帶有電荷的大面積metal,較慢與gate連接,7 b, {% p/ T# [1 }& y1 v+ w
但是top metal的rule遠大於一般metal,個人覺得使用上一層就能
+ J+ N7 P) x* ^% X/ y$ K達到效果,也就是暫時中斷那些電去燒毀poly gate.- N9 l. Z3 a0 L1 z
一般來說我公司designer都不會在spi檔上加diode,因為出現的, c: ~1 ~0 w, Z9 R; s, |, z
error report是一樣的,但是在某些線上,會有其他的error.所以才會5 i) M* U. R1 b+ d/ l8 t7 t  b  c
用換層取代,只是不知道那些異常error發生原因.
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