请教论坛各位兄弟一个问题！

jjw

我们前不久回来的一个芯片，使用NMOS做的功率管，测试出现了一些怪现象，其漏端输出接红外发射管。当我们芯片的VDD和红外发射管上的VDD使用同一个电源时，芯片只能从3.3工作到2.8v；而我们把他们的VDD分开接到两个不同的电源上时，可以从3.3v工作到2.4v，我们量测芯片不工作好像就是由于NMOS不导通引起的，而NMOS的开关信号就是一个几十KHZ的开关信号，是什么原因导致它不工作的那？我们猜测前面的驱动能力不够，有的认为是电流过大导致衬底电压抬升等等，但没有太肯定的结论，有没有达人可以指点一下？

hvpower

你把图片贴上来了  不然不知道你的具体情况