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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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發表於 2009-4-28 22:58:25 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問各位前輩.% d, h, h( Q8 ]) r! h, X
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
7 b6 U& y! E8 c0 K然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
2 m6 c5 k9 E$ w# [1 @0 [
4 D( F8 p0 S. t6 `* `7 ?3 t3 z請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
! T+ e" w# v5 J& e& j6 @: |$ X& g1 P1 D  Q7 q' g0 y: v
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 顯示全部樓層
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。( K3 l( n. U: u) J+ L4 T7 r- j
我碰過的例子,也許是大部分的例子。
. e' d4 R4 P6 g+ w' ?+ x, Kone-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。! i+ w* ?5 _2 U6 B2 J# p
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
# _6 l8 a" W$ }# Ptwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
0 w) m1 M! k/ n4 M9 ?4 z& \  X' k! z  i: \3 G- N0 \1 E/ R
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]1 e: \$ E1 X% h/ e
普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大0 F9 O! }; ]$ p' v5 K8 O
可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。
! ~; a5 O& I' i* f2 S" Z5 q" S8 A! N) d6 ?7 o
Register-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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發表於 2009-9-22 11:48:44 | 顯示全部樓層
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕
" r/ z6 U& ^7 b% e- Z* \" f我用Faraday Memaker 產生
1 n" }8 t7 b! Q: d- J# B2 p
! y& Y, ?2 D; n; C8 H8 atwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
# z2 o+ R. p$ S# tdual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]. V6 i5 i, Y& Z* x1 D0 h0 ?

# ]. ]+ Q0 @: m7 w$ ^: x有錯請指正~
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 顯示全部樓層

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。+ h" u4 p4 k- V' F2 T4 m3 S$ d
register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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