2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：
. ?5 Q% t* Y! g2 Q# u, x( d
0 W* m8 q" h+ T# \9 x( c不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，

在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

6 K; W7 p+ a9 O2 V1 V8 Z- WMC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10

1 x& b$ n8 M6 b% L上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?
, B6 Q* W- N  O0 \% C
9 l2 L& ]7 R% y" A# m! D  h是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?
9 ?+ F; f5 X, {1 H0 D: m6 Z2 ]; W
麻煩大家了

KKboy

as200112同學 您好，
好巧不巧我去年有比過此比賽，
我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
. Q  {# @1 ^9 w! W8 H此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
5 q1 T1 c; _  c8 {' s4 b. Z+ u% N* L(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
& a4 ]( U9 D; U0 j1 ?8 o( W( I' ?, k8 ?DNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
! i. L* y; F) ~如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
! H+ l. d8 u4 n# }  i5 p; l. V* R而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
6 k) f' c1 B# d9 P但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......

! M# c$ g1 h( Y0 [5 }& o如果有錯請見諒
9 o& S$ S9 W- K6 `  V' C* Y1 _希望對你有幫助，祝你今年能得名。