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[問題求助] 誰能為我解答,感激不盡

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1#
發表於 2012-3-8 21:10:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我在跑DRC時出現的問題,這是什麼意思呢? + Y# x& {) G# D" G! g5 C2 m: p
8 ]$ n- g- s( M0 y% U- e
N-well pickup OD to PMOS space <=20um+ ]+ D" s- S7 H, i
* d5 v/ p* s. m( T0 f, W
' }/ P* r, W1 N7 H. D
煩請為我解答感謝
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2#
發表於 2012-3-8 23:11:25 | 只看該作者
意思是pmos的衬底接触与pmos的间距大于20u,带来的影响是会有latch up
3#
發表於 2012-3-9 09:48:05 | 只看該作者
同樓上大大所說,這意思是指N-well 的substrate contact到PMOS OD中# M2 x! B. C$ o
的部分區域距離大過於20um。9 Y& w- P" O7 j6 U

0 g' i( p5 Z& P+ P( f3 P通常會發生在mos圍上pick-ring時過大,導致mos離picj-up太遠
+ C- r* a) W/ d0 q5 _5 B或者,mos本身w過大(大多超過36um以上),mos中心點位6 D( J" U$ {9 b  l
置離pick-up太遠,超過20um也會有同樣的狀況。
4#
 樓主| 發表於 2012-3-12 11:49:03 | 只看該作者
感謝各樓上兩位大大的解釋,真的很感謝^^
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