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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?  U9 j5 Z3 \1 G2 F
有好多种cap啊
7 K4 J  i) R. m/ E4 D" ~6 N/ {pip 两层poly作两极板9 e. @) ~; s2 k/ t1 K
MOS cap  就是PMOS&NMOS管
# |5 v& T' A3 K/ A+ X  _MIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板6 r. n, [8 _4 `0 A
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff , s6 @6 A% \5 W8 z! b7 ~
等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um , P0 u6 \0 M' }2 D0 B
在畫 POLY2      Z um X Zum
, H/ P. G* f/ Z0 R通常  下層版 較大  RULE 會有3 I2 z' `* N2 e( i, Z; E
做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1
- j) ~" t0 I5 R( c) ?做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2* `3 k! m' V' H# a2 r% Z- {. `4 x) k
X & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~$ @5 Y' [9 y7 U, q# T' `
你可以去看看你是否有申請~# E) Y& [# z$ s! J6 S
這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~2 c' a9 x+ |/ j# i* a
由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...
4 w, j3 a  ?' [3 d+ {0 ?但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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