請問在OD上打滿CO是為了???

u9513349

1.如題在OD上打滿CO是為了降低電阻值嗎

也會降低寄生電容嗎？？？還有啥其它功用呢???
1 Q+ \. B( S" @. O/ o
2.因為現在我們公司用新製程在劃ＬＡＹＯＵＴ,我常常被ＮＷＥＬＬ和ＤＥＥＰ　ＮＷＥＬＬ稿混

$ E7 Y; a6 P% L. D請問啥ㄇ時候要用到ＮＷＥＬＬ　和　ＤＥＥＰ　ＮＷＥＬＬ呢？？？

2 E% a. I' S1 g0 R$ z3.為了節省面積,常常會把ＰＩＭＰ和ＮＩＭＰ連起來,請問在任何情況下ＰＩＭＰ和ＮＩＭＰ都能連起來嗎？？？
, Q% X( s; i/ h
/ t3 ]0 Q4 w9 z4.現在公司會高電壓製程ＭＯＳ的ＰＯＬＹ加一層ＭＥＴＡＬ1然後在ＭＡＴＡＬ1上打ＣＯ,之前畫沒有這樣.
; D2 t3 ?' P& y$ Q
8 U" S0 {& z% L2 @" U3 I請問在ＭＡＴＡＬ1上打ＣＯ會有啥功用呢？？？

  `: d! p/ B0 C. X+ @ＰＳ：我是ＬＡＹＯＵＴ新人,請高手能幫忙解惑！！！

nebula0911

1.既是降低電阻,亦是降低寄生電容.我個人的想法是讓body電位趨近於電源位準,讓mos的動作會更趨進於設計值.
: f  t/ }* ~6 B2 Q. e, X- e) e2.一般來說deep nwell 大多用於隔離之用,不管是怕干擾別人還是怕別人干擾,效果還蠻有效的.deep nwell的電位是來自於nwell.但通常會把一般pmos的nwell電位和提供deep nwell 的nwell電位分開,這樣的隔離效果會比較好.
3.只要rule ok.當然可以.但若是高壓製程,不建議這樣作,避免一些不必要的問題(例如latch up....)
4.我想應該是要降低gate端的連接等效電阻值.
以上純屬個人的一些想法,希望對你有用

fish1121

u9513349  請問你公司是單純製作MOS的喔

smilodon

1.假设你说的OD是MOS device，对于65nm制程要求至少有两个Contact，这是提高可靠性的需要，对于电阻的减小很有限，通常我们认为每个ohm contact大概有5ohm，但是OD上的电阻会大的多；对于寄生电容的降低不会起到作用，因为寄生电容主要是Source Drain和衬底的结电容以及边缘电容，只和S D的面积
以及横向侧边面积有关；

6 X4 o- A+ q. E, K# }4 A1 @2.Nwell就是做PMOS时用到的MASK，而Deep Nwell需要多使用一层MASK，它的作用是用在NMOS下面，同时周围用Nwell围起来，这样子Nwell以及Deep Nwell形成了底面积为矩形的盒子，使NMOS的Bulk与Psub被隔开，可以接不同于Psub的电压。Deep Nwell上的电压与Nwell相同，通过Nwell中的Guard ring接电压；通常接AVDD；
! _0 K# t: T: r" |: L  _+ x; h* U
8 M  H+ D1 l  K" ]3. 可以

, A# D2 a- o5 l  z! ~/ T5 h% w4. 你说的制程我没有用过，不过不是在Metal上打Contact，应该是在Poly上打Contact接到Metal1上，对于大尺寸MOS期间也要这样连接，否则Gate上电阻不一样，会造成导通时间的不同，而在Gate上都接上Metal，可以使所有Gate上的阻抗几乎相同，尽量同时工作。

zhiyong.gao

支持smilodon ！
我认为就是这个样子的

milo_li

smilodon 说的相当详尽！

dreamflying61

回復 4# smilodon

8 S6 ?% ~$ X2 }, v. n
( ]/ t% B' y) T/ t: @/ P    正在学习中，今天又有收获了！

chriskomh

我記得 也可以增強可靠度