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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...  Y* M/ K8 i5 e* w
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
( I; L2 q. R) V0 J想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些/ M+ C+ y. e2 I3 o" M& L1 p
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨* c" }7 \& {3 n. C5 w! Z0 [
PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055
1 Y) r1 [' I2 H3 z; r" a不好意思...我DRC錯誤的圖如下...$ z0 O; F' \2 n. U+ }
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!6 A  z! r9 T4 O# b! ?

+ i' g( D- R0 D1 F   

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x
5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 0 a" d# R2 T  H; c7 n+ h& u; O
# D) C, B/ H6 j8 C: ^5 O; O
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...# [; Q6 \5 p6 i. _3 x7 u, }( F
可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
$ g3 Y0 P% r7 e! c0 s, t8 }# e: k0 q
( B( O4 L" z; ^3 \9 m8 `2 \
5 v1 }: T8 L  T- x   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 , s4 _4 `; f* v" h1 e7 @; t# [
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
1 I- K5 }1 v, v) f& A2 t如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師6 q) q( j, u# Y' Z0 f* \
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.
2 u4 `( p( [& p# Y6 `0 v可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih # R% ^9 n7 h4 m* m" n" v- s. I  P/ T- h
$ N% l8 @$ }1 F# r/ |0 S% ?. N/ X
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
( Z  [( x! C# P- |小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.' u& ]# S: _) @" r+ g) w; ?
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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