在buck 電路中 若要增加dead time (Vgs_H Vgs_L 間隔)
若原本boot 電阻=2.2 ohm
High side Mos Rg=2.2 ohm
若現在改boot 電阻=10 ohm
High side Mos Rg=0 ohm
會增加dead time?
把High side Mos Rg→0 ohm 我想是 把high side mos vgs 的tr 變快,所以dead time 增加
但Rboot 我就不太了解了,
還是說我的關念有問題,所以還請板上的個位前輩,可以提出您們的觀點來討論。