Bandgap reference circuit 如何調整電阻值?

d8731502

請問ㄧ下，再ㄧ般的Bandgap reference circuit 中
9 l5 S/ H+ I: V0 Z# k* M. D& U是用正溫度係數及負溫度係數相加，而其權重值是由電阻所產生
& t" ~; J4 F7 u; \, T4 K3 G想請問一樣權重值10，是用10k/1k好，還是1k/100好呢?
有什麼影響?
9 J4 l1 E+ v" E: A6 R# ?/ |8 z9 X
" S( G: E1 H- }0 g: g0 f# p以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
1 b0 P2 H+ A, v" J) {% i- Qbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
) B& @6 S1 K. W關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
$ D4 Q3 H" \8 KBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
0 R! }0 I6 y( M9 p$ R

, y! k2 l4 G7 C, j3 i
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:51 AM 編輯 ]

sjhor

看你的 Power 需求，看你的面積需求!
+ q' k- `% k( o' T9 [, y其實 10K/1K 應該還不錯!
1k/100 就相當細了!  電流消耗也相當大!  不太適合吧!
3 z. i# t1 |$ q7 q0 n& k這些值  也會跟量測方法和 TRIMMING 方法的精確度有關唷!

icemanlwq

还要看BJT的比值。可能比较复杂，要仔细研究一下

semico_ljj

100k/10k，一般是！