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原帖由 e2000 於 2009-7-18 01:09 AM 發表
6 ~- w4 g: Z* g: {" r; p$ Z; i.18製程能達到高速嗎?至於低電壓設計的話是否要用特別的偏壓電路?
8 Q1 y! P$ D& t; s4 Z至於3,4我就不太懂是什麼技術了
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" G4 X" n0 j/ u$ M3 X X+ I0.18um的NMOS ft可以到30GHZ左右,這裡說的高速主要是指高速且低功率的op設計2 E) k8 J' q4 t b7 N {
, B" U- {% A$ Q$ G' J" |0 E) K# D9 B% E低電壓設計最簡單的方法就是把電晶體偏壓在weak inversion,不過對process variation很敏感,而且頻寬通常都超低,weak inversion的spice model也不是很可靠.... g% n8 U/ S, B; K9 c- s% Y' a
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partial positive feedback就是在op內部加入正回授以提高gain,由於在以前VDD夠高gain很容易就70dB以上,所以這樣的技術沒有很專注的被發展,而且也有stability的問題6 ~% \# b! w% i
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Bulk-driven就是把body當成Vin,原本的gate給一個偏壓,這樣可以拉高訊號擺幅,不過這樣的技術有潛在latch uo的問題
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發op paper的確是較難的,我說的這些技術都被提出超過15年以上了,但是放在不同的位置或是稍加變化, 還是斷斷續續有新的idea被propose |
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