最近所做的系統裡有一部分需要用到4 Y- {' |4 S$ H2 g% M; _3 [
* O' v0 Y' [4 J, ^& [+ _ N0 U. L+ e4 ePOWER DECETOR的電路" r- \! j0 z. E0 i, g
" m4 U5 J$ J: b9 h0 K
但由於之前都是作baseband的電路居多
+ ^' Q$ t$ W' W5 ?1 J. B- L 6 N% m! R* b3 M8 M# h! H
對這個電路比較不了解 因此主要是仿照PAPER上來模擬
4 D1 [: R; A2 F( N6 R! w 6 f) d8 x1 Z% I3 n* A
9 Y" o+ i. }# [" Z4 b: I! z' _
' K: e1 I; y* Z3 F/ Y& g) h4 x這是PAPER上的POWER DECETOR電路* H' S; W9 [5 B8 x+ z
0 a% n' z7 W2 y- ~5 c- f, b
但是我在模擬時候碰到了一個問題
) n/ }2 h \; ? " K7 n6 C; C, l2 f
究竟這個最前端的電容和電感的目的是什麼?7 D( o, C. W/ b* n% s( I! y& s
( m; m5 t7 \2 p
是用作阻抗匹配的嗎?' ] K3 ?0 I' G& B) B
+ ~; S1 j, P3 |( m* j
另外 這個電路中的POWER DECETEOR UNIT的部分
# C2 s/ v: N g, k" ?4 E 8 H- O, P5 N; a: f Z) c- t
裡面的MOS是應該用RF的MOS還是一般的MOS呢?
2 n, t% Y) F4 l' {+ ?0 P5 s. H# y ; ?+ d2 s" ~& |
PS PAPER名稱為A Low-Power Ultra-Wideband CMOS Ture RMS Power Detector
. @8 T+ O( z/ C3 ^: a) T
- I& | ?) i3 F' F謝謝各位了 |