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[問題求助] 什麼時候用poly去繞線呢??

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1#
發表於 2009-9-4 08:44:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
如題...% G- W; x; n% g6 b. d
; B$ ^! O: `9 k7 K- k
我發現幾個inverter串接時,常常就會用poly去做繞線...' Z6 S0 p( w/ D
還有拆mos(ex.將W/L=10/10 拆成兩個W/L=5/10,以此類推)時,也會常看到用poly去連接gate
& R; ]+ |, T/ d( Z# D2 s
7 i- b% H' @. Q9 s% a& `如此現象,那用poly去繞線的時機為何呢??
( m; Y% v1 _! F  C* Z3 A6 W8 J大家有什麼想法,歡迎提出來ㄧ起討論唷....
8 ?+ _& V0 _; S% ]" v- |- ^2 c. A. Q7 OBest regards
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2#
 樓主| 發表於 2009-9-4 08:50:07 | 只看該作者
之前聽過一種說法...
+ |+ `5 {' `+ Y% t, M9 |# Q8 Y那就是等電位時....
/ c% {& I/ j2 e也就是在這連接間,並沒有電流...
% T3 w* U$ a0 H: C$ D8 O. u1 k. K3 d8 f" O
那上述的現象,有符合以上的規則嗎??" u, j( F, Q6 p9 }
因為analog的layout有很多matching的現象
; x, O2 Y/ ^9 k# }" X( @對此,大家在poly routing的使用時機為何???
; U3 _" \# K, F( G. l歡迎踴躍發言唷!!!) q" j9 k( Q3 |9 u6 N
Best regards
3#
發表於 2009-9-4 13:16:31 | 只看該作者
儘可能用 metal , v9 m4 W# D" L& C9 Z
有時候受限於情況下
3 r5 Z" }* z: }* p無法用metal 繞線 才用poly+ D3 B9 C! e' t
盡可能愈短愈好 畢竟 電阻值) k. y( T$ i% e
較 metal  高
4#
發表於 2009-9-4 14:04:28 | 只看該作者
過去的製程有些是1P1M" a3 U  @5 \$ d" a
所以非得用Poly繞線不可# F) x% D  |1 J+ ?2 {
另外一些低利潤的產品
4 i9 U) b# Q3 i1 b6 [7 {& U為了省光罩錢也會使用poly繞線& }  o! I- ~% _3 P* o
但是poly繞線在開發階段很容易遇到問題
+ l' K' P& V+ W4 \尤其工程實驗上的FIB
1 \/ ^. f, I: @/ h! p. w4 C) F* vPoly的FIB廠商通常不保證良率+ `& h5 e5 _+ R/ ]1 v, s' r. y
Debug上會造成很大困擾
5#
發表於 2009-9-7 13:54:37 | 只看該作者
個人的作法是能用matel一定用metal
/ q& a$ I, Z; ^除非真的是繞不出來
6#
發表於 2009-9-7 21:44:14 | 只看該作者
高速模拟一般不这样!只有数字标准单元才!
7#
發表於 2009-9-15 14:08:15 | 只看該作者
個人認為必須先用metal用完
6 E$ i8 _! B, q' q% y才用poly繞 除非是相隔兩個很近剛好又是poly材質才用poly
! [9 T; b1 T* t5 C! p) a$ n7 s要不然一律都用metal繞
8#
發表於 2009-10-8 05:00:41 | 只看該作者
個人認為這完全是看電路的考量
; J7 p2 d4 E! @: y; Q當然也要看功力 POLY狂拉的也是有阿
9#
發表於 2009-10-8 19:51:47 | 只看該作者
3Metal  以上得 process 一般不用poly!
10#
發表於 2009-10-9 23:03:53 | 只看該作者
小弟也同意盡量用metal去繞線的原則$ p: @9 H5 U1 ~, h/ E
除非電阻性對該電路影響力沒有 很大
11#
發表於 2009-10-12 15:25:03 | 只看該作者
有時候要去分析看看可能寄生阻值
+ i/ H+ c6 I  R8 e如果說poly兩點很近
4 V( e5 E8 j$ L* ^我是建議直接用poly去拉
4 A, L5 S* E: W& l/ Q- C4 b因為如果兩點很近用metal去拉% A+ V* }& b4 L; T8 M" p' `
還要再加上contact有時候可能所寄生出的阻值
. b) n% A' N, W5 m3 c9 E/ }比直接用poly拉還要大
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