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[問題求助] spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得?

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1#
發表於 2009-9-27 11:59:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟目前使用TSMC .18的model
* J2 P" `3 n& b$ l* I/ `2 W4 c/ `想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據,來設計電流、電壓值7 E1 Y; K* G- G- j% R' Q
但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據
4 i# e4 f5 K1 G0 I9 ~3 s& p$ s3 e& y4 z* g% q& X3 u- o% k
目前大概知道μ0就是裡面的U04 B  t5 \% a% B: a& v, H/ C( c* d
但是ro=va/id,這個va值要怎麼知道呢?6 n& a- y2 L8 R
還有Cox=εox/tox,εox的值也不知道怎麼獲得?4 G+ z6 ~  q' z8 P' L8 e" y' [  l
, J; k2 }- T$ R/ V& f; ]) {4 _3 M
有好幾個參數不知道數據是都多少,真的不知道該怎麼設計了... . O2 r: E, P' g/ l' T
電子學的那套計算方式根本沒辦法使用
' f, G3 X5 T5 U: k; J$ j只能亂tune W和L的值,真的好累
$ K" S$ b6 C' q: h6 [0 @' ?4 I  s/ P6 F  A- f: l8 U
請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
: x0 L6 w& e  i9 [感恩
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2#
發表於 2009-9-29 00:30:49 | 只看該作者
关于εox,这是sio2的介电率 其值可通过计算得到,为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值
$ p, H: r  y/ a: U/ rtox可通过查看制程文件得到。& A, @/ z* |; G( w$ T
关于ro,在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了,可以通过跑传输曲线看出个大概
3#
發表於 2009-10-10 11:55:12 | 只看該作者
Cox其實製程文件裡面會寫
2 z1 W0 P  o6 X" V8 M; ~% G也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos! B  w$ W, `, M, D; v
spice檔加 .option captab5 G/ K$ d8 u6 [0 I( L) ^
看lis檔就會有電容大小 cgtotal
, ]* w% P$ D  p. s除以面積就是單位電容& |7 a) d% d( z
不過電容跟厚度有很直接關係$ h1 E  D9 I4 M, M/ T5 J0 ^
類比工程師也需要有個概念
% ?$ D& x. X7 ]gate oxide 90A 1x1um大概3fF
: r( \6 C" n/ _& D' k+ |- ]70A的接近5fF以此類推
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