Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 3425|回復: 3
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 能用下面方法得到mosfet的一些手工计算参数吗

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2009-6-6 13:29:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想通过这么一个方式来得到mosfet的手工计算参数,不知道能否行得通!) s! k' K' h( r: y6 G5 b
首先我对一个单管进行仿真,以pmos为例,我给栅源加一个固定的足以保证管子处于饱和的电压,并在漏极加一个电流源,计算该管子在这个电流下的直流工作状况!从输出文件.lis中的beta、gm等计算kp、lamda这些参数,请问这样可行不可行?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2009-6-7 00:48:58 | 只看該作者
重要是看建模的複雜程度,像Level49這樣的Model,按照你這樣計算偏差應該較大。2 d" H  g+ z9 ]9 J3 ~& y
^_^
3#
發表於 2009-6-7 12:34:12 | 只看該作者
這個問題我也想請問一下,像ro就是gds,好像在1um以後就沒有這個參數的值了,那如此我要怎麼用手算設計電路呢??% X$ q7 K. i* H# q0 `
像有一些參數例如Vth,它的計算雖然很複雜會飄,但還是在某一個固定值為中心去加減值,但gds我好像找不到了,想請問要怎麼找這個值??- F) W4 L) Q9 I" m  i
謝謝!!
4#
發表於 2009-7-18 02:18:45 | 只看該作者
你這樣模擬是有問題的
6 t' J$ |3 O0 T3 ^* v* v( L9 h' ]' s3 V2 V! e# C7 j9 J
給定ID又給定VG這樣是不合理的$ `0 Z, L: ?; {
4 U/ p6 a& j/ F# O6 y
應該是drain給一個足夠大的電壓確保電晶體在飽和區工作即可...
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-26 09:32 PM , Processed in 0.156009 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表