關於HSpice模擬問題

syot

請問一下:
; O1 b. L$ q7 a5 q3 o. \7 n/ ~目前我使用TSMC 0.35mm MIXED MODE (2P4M,3.3V/5V) POLYCIDE 製程
我做了一個雙電源的OP
8 F6 o7 l5 D$ A/ B% \. Z8 b1 v2 I) J原本電源是給予+ - 1.5 V的電壓
$ Q& z2 G5 A6 B6 ?7 O* ~7 S+ v/ X不過我在輸出級加了一個push-pull source follower的output buffer來降低輸出阻抗
但這樣使得輸出擺幅降低了不少!!
因此,我打算把電源增加到+ - 2.5 V來使輸出擺幅加大
不過在模擬的時候是要模擬.lib 'xxx.l' TT
2 h) L7 f9 U( l( N- F1 t還是TT_5V這個!!
: y, h, F, u. l" x# t# u0 E5 L兩種模擬出來的結果差滿多的@@
這邊我不是很清楚

感謝!!

Malong

你敘述的TT和TT_5V是二個不同的Device，
' q; A$ h: x7 e% j一個是3.3V的元件，另一個是5V的
請考量你的所需，選擇適合你要的Device
另外，也請參考技術手冊的資料，相信對你會有幫助的。

syot

TT和TT_5V是二個不同的Device
/ y! N# X) S* X- @. B$ X  E
再請問一下:
) Y: Q; Y  ?1 e我知道TT跟TT_5V是不同的device model
! s/ @0 N' \( j; ~0 i4 @那它們在佈局上的結構有不同嗎??
6 h; M( P8 E1 Q4 K$ |! ?我想問的是如果我power用+ - 2.5V
6 X2 @! u( J4 u6 D但model用TT(3.3V)來模擬
那結果是正確的嗎??
1 z' L7 w/ H3 ~) l9 c' ~* e換句話說
' D7 p% \$ ]2 D! O" t1 f我device用TT(3.3V)
而OP的power用+ - 2.5V
這樣電路運作上會有問題嗎??
( l8 A. u7 B! a! _# d6 h; l
+ h, s0 t# r+ V0 ^* K感謝回答!!

小美

TT_5V 的話 你所使用的MODEL也會不一樣喔
- `, h, G( t" w$ }
# r* W% d+ K7 E例如原本使用3.3V會是PCH 改成5V的話會變成PCH5等等

) B  b) K1 O% n1 ]另外你電壓加高 原本的VOV也都會變動了 不一樣的結果是很正常的

你要增加輸出擺幅的話應該考慮輸出級的VOV值是否太大
' G. K' D; b$ `2 X2 t3 V/ D! W0 \  h3 e
8 ?; d6 w9 q+ p/ E' d2 m或是採用rail to rail的形式去設計你的OP

, b) k- c, ?$ e& u9 M9 }) ]不然你增加最高電壓造成功率消耗增加是很不划算的
9 [7 v7 t. D; _
以上是小弟的一些潛見  有誤的話煩請高少指教解說囉

Malong

3.3V和5V MOS在佈局上一定有不同
& R2 f% h( l: m$ K但小弟許久沒接觸TSMC 0.35um的製程了
, ^5 q' w4 ^# V& D7 w我也不知道他二者的差異在哪。

關於你說用3.3V的device來做power 為+- 2.5V的OP
這方面我覺得有所不妥，但要看你電路的架構為何，output Swing的需求
& [' `; l  h0 O% f* n因為用電路的方式偷耐壓也是有的，而且3.3V的元件加5V也不見得會損壞。