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這個問題很大,很難用三言兩語就能夠答覆和解說
, {0 a4 a X1 U7 `. {而且,寄生元件這種東西,絕大部份只有在layout抽LPE時才會有的東西,一般在pre-simulation時是不會特別考慮的,除非design已經預先考慮到相關的環境和計算,不然這種寄生元件並不好作
' u+ d) `5 _ O7 V1 f% B7 W2 C0 y舉個例來說,兩條平行的metal 1連線靠得很近,距離只有1um,總共平行100um,兩條metal 1的宽度有2um,在pre-simulation時,hspice並不會特別考慮到這兩條平行的metal 1連線作寄生電容的大小,而在layout作LPE時,則會計算出這兩條metal 1的寄生電容,並貼在nestlist file,而這是metal的寄生元件: |) J, |' y+ h; {9 X
再來,MOSFET元件有分PMOS,NMOS,在pre-simulation時,hspice並不會特別考慮Drain,Source的週長,面積等的寄生電容和metal,contact,via等的寄生電阻,而在layout作完LPE時則會把AS,AD,PD,PS,NRS,NRD等參數貼在nestlist file中: T3 J- j# Y, v; K' J1 o
一般來說,pre-simulation比較少考慮到寄生元件的影響和作用,絕大部份都是在layout後的post-simulation時會加入寄生元件的影響,而寄生元件,你可以把它看成是MOS,R,C和其他metal,via,device....等之間的相互作用關係所建構出來的model參數,而這些,一般來說,書上都有介紹,只是並不會特別講解它的重要性9 T# m, U. ?0 @. h1 y
最後,寄生元件通常在極高頻時才會特別重要,影響程度也會比較顯著,若是只有50MHz~100MHz的clock,其實寄生元件的影響程度都不會那麼鉅烈,而且,一般在設計時都會預留一些design margin,而這些design margin都是針對process,temperature,power supply和寄生元件的變化而作的 |
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