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[問題求助] bandgap referece中的BJT

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1#
發表於 2008-12-3 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
bandgap referece中的BJT的电流即IPTAT的电流一般取多少啊?与什么因素有关?或者受什么约束?$ Z" i, Q7 |( [3 P

" T5 P# v  q. w! n# ^/ g8 N; I; X6 _9 d' m) }+ E6 W; U3 O
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:, N% \( K9 e3 x3 B5 f
bandgap voltage reference? 3 J3 n$ N8 i& U% [- l2 V* h
bandgap voltage reference? 8 m- U" J3 u9 ?2 D1 O0 o0 Y; X
關於CMOS的正負Tc ) _' a7 i4 K! R7 d& u1 P5 {  j
如何在CMOS process 中做好溫度感應器? " \: @( c* }. I/ L1 c7 K8 R
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
9 V5 _8 Y' U6 |5 a4 k2 a7 H9 Dbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) 5 f/ Q, j5 l5 i8 I7 J/ M) T
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作 - r/ N5 Q1 i3 c( b1 W( C5 s" b# I
2 M- J  I( L5 Y9 F, p4 N3 z
  h2 g& K7 }0 e

, N9 Q. Z5 v. ~- Q0 |) A9 F$ N+ y[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:49 PM 編輯 ]
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2#
 樓主| 發表於 2008-12-3 21:42:06 | 只看該作者
谢谢给了高亮,有请大大们给个解答,我还是个新手,最近在做bandgap reference,请指教!
3#
發表於 2008-12-4 09:30:40 | 只看該作者

WOW~

這很重要耶~以後要做完整的電路也要有Vref這塊~0 N/ ^" a. A% m6 w9 d8 b& Y
懇請高手賜教
4#
 樓主| 發表於 2008-12-4 17:55:50 | 只看該作者
怎么没人解答呢?是不是我的问题太简单了,都不屑回答呢?
5#
發表於 2008-12-4 20:51:44 | 只看該作者
以前倒是没有考虑过这种问题
6#
發表於 2008-12-4 23:34:19 | 只看該作者
這個很難有肯定的答案
4 l' Y( a/ w4 v1 U; {2 e因為不同的應用與產品,所訂的規格與要求就不同! t+ `* j) S& _: J6 [
若以SOC或者給PLL,ADC等類比電路,基本上我都是訂10uA,會訂這個值最主要是因為剛好整數,而且容易藉由這個current來產生出其他所需的voltage or current" ~  Y, W& j+ j
另外,我以前有設計給LDO電路所需的bias voltage and current,它的current就非常小,在正常操作下就要小於1uA' W. M7 Y2 M0 }/ g$ a& X
所以,不同的產品屬性所需的current就會不一樣,很難有肯定的答案

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semico_ljj + 2 谢谢提醒!

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7#
發表於 2008-12-5 14:33:36 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

"小於1uA"设计有个问题,电阻就会很大,这时会引入更大的噪声!
; R1 w+ d& o  H" P: i# S* B实际电路这么小的电流没有设计过,不知有没有什么要特殊考虑的地方?! {. }1 h3 y- |5 a5 r, e
谢谢!
8#
發表於 2008-12-5 22:26:42 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-5 02:33 PM 發表
( h8 y% u! K# Y% B, X"小於1uA"设计有个问题,电阻就会很大,这时会引入更大的噪声!" `- K$ B+ s( I" J" @9 }. n: e
实际电路这么小的电流没有设&#357 ...

$ L/ S, e* q$ ~1 k  W
9 _5 B5 L6 G' V0 @電流基本上可以流很遠啊,電壓比較怕 IR drop3 i9 I; D* N. @0 Q/ N+ D
, [+ o7 D- }" U, S, P& \5 _
想請問您「�阻就�很大」是指??
9#
發表於 2008-12-10 10:59:31 | 只看該作者
噪声应该是一个因素吧
10#
發表於 2008-12-14 17:01:58 | 只看該作者
见过反向的和公司的,在50uA左右,个人觉得op的mismatch问题更难弄
11#
發表於 2008-12-14 23:23:42 | 只看該作者
同意樓上說的,OP的mismatch和offset真的很難搞,不知道有沒有大大能有效降低這些效應…
12#
發表於 2008-12-15 10:07:43 | 只看該作者
见过反向的和公司的,在50uA左右

. p' x/ _! s. z1 c6 v) h, \# q$ S
我指的是两路的电路总和,单路25uA左右
13#
發表於 2009-1-9 11:22:58 | 只看該作者
粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])
14#
發表於 2009-1-9 11:23:22 | 只看該作者
粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])
15#
發表於 2009-1-9 14:53:24 | 只看該作者
OP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半$ a2 r5 P- c# S6 D/ _8 ?; Y
公式推導可以看razavi的書
16#
發表於 2009-3-5 02:48:10 | 只看該作者
原帖由 nesty.tseng 於 2009-1-9 02:53 PM 發表
" u4 K  B, R( ~6 K; IOP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
* |% N: D) n: @; m: _/ I4 U0 S0 ~公式推導可以看razavi的書

; W1 N4 N. b5 K$ r请问大大这个在第几章第几节?6 Q( o! c. r5 s8 Y3 A
谢谢!
17#
發表於 2009-3-9 17:33:44 | 只看該作者
Chapter 11 Bandgap reference & q. e) B8 _# w5 n

3 w) B6 @1 H  ~$ v$ V- p2 h11.3
18#
發表於 2009-3-13 17:04:49 | 只看該作者
請問在bandgap 下的 bipolar PNP 的 beta 要大於多少阿 ? 如果只有20  會影響到準確度嗎 ?
19#
發表於 2009-3-17 17:43:02 | 只看該作者
若是寄生的 bipolar 建議去問製程廠所提供的,% N7 z: c4 v/ D1 ^- `1 ~0 \; t
因為它們會知道使用在哪一個範圍會是一個較佳的值。6 W7 `- o) q8 a
他的變異和限制都會比較了解。
20#
發表於 2009-3-25 14:19:00 | 只看該作者
製程廠給的BJT通常不準, 必須找方法作Calibration
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