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想請問各位大大我使用的製程是UMC18! K+ l; U2 V: [
0 H( y9 n( v8 ^1 J
要如何知道製程的參數?7 P" |! h: ]0 u( o* k8 [- v
如:Va , λ ,uncox等等...
: z+ }# ]; ~' y. Z: B$ p: e3 x有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同
/ N7 V' s# q* l8 Y3 I% A$ f, Gro=1/gds2 J5 R3 W. ~0 `" ~( g( L( [6 [5 r V
ro=1/λ*idsat1 U* v4 a6 O- t& T
λ=1/va*L
3 g* X: @4 x7 r6 K8 A1 E* D3 P# L1 T V
例:1 k d; F b5 a* j& H# }+ b0 n5 y) J
PMOS(saturation) PMOS(saturation)
8 F: g: C, [- e. XW=25u L=0.5u W=25u L=0.5u
6 ^6 t7 A9 e: P* }! nid -8.907e-05 -8.588e-05
9 c, B. N, `+ V5 Egds 7.941e-06 5.289e-06
) h9 D9 @8 A# a- U
; Z( X4 d4 {! ~算出後:
& R1 Y% l0 l+ |7 {λ 0.089 0.061
- `/ O: }$ J/ R5 U1 W) N# h8 N% e8 F, Q& x: M# f
8 N. w" T- X6 D' X4 K6 ^看有些論文寫說λ是工藝給定的& V. B9 ~- w Q
哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
# O3 C7 f' Y, e$ r& @" D7 b2 @$ d8 O9 W2 D8 C% ^' }
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