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[問題求助] 有關動態電路layout的一些問題

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1#
發表於 2007-9-5 03:37:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教各位專精人士,3 v1 L1 ^7 @+ M. j. q9 |( O
小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder(130nm TSMC)(主要
7 p4 I- x8 h- i7 m# x為dynamic circuit),有幾個基本layout的問題想請教,' j$ L% W7 @: Q! t, i

+ e% n! S6 y. ?1 [1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?' J' F+ x6 G- m) G- ]+ E
2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的,比如說:在local的電路裡,要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重,local的clock要走哪幾層比較好,等等之類的2 H4 r, C# U& B
3.在這種架構上,有沒有需要特別注意的地方。7 b4 q" m5 Q3 ~. T4 C5 z' b( E
: \6 S9 n# D8 m
因為是第一次lay動態電路,所以不太清楚要注意什麼,還有請各位大大提供意見。感謝

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-5 19:37:34 | 只看該作者
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?
  y/ k: }; u2 z2 m
; T3 v) L* w- F2 T" n-->較不好,因為縱深落差較大

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-5 20:14:58 | 只看該作者
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
4#
發表於 2007-9-5 21:33:18 | 只看該作者
原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表 7 _  B: R# e1 |) I4 M
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復

$ o( l" c& y& F1 S0 M. g2 Q4 J
) X5 f# s1 x+ n) b8 I% Y* w
在etch時侧壁的metal會etch不乾淨,造成的影響如殘留metal掉到其他導線上,造成leakage......................

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5#
發表於 2007-9-7 10:04:53 | 只看該作者

回復 #4 m851055 的帖子

請問 m851055
. u' B5 P& D4 l4 J0 U7 |3 N" [  ^( H, }+ e$ n
就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎,還是要先拉一小段線再換到M2
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