超低壓CMOS混頻器比較設計及特性分析[簡]

sjhor

摘 要:討論並設計了基於PMOS 襯底驅動技術和CMOS 准浮柵技術的兩種超低壓CMOS 混頻器電路,並對混頻器 的特性進行了比較分析。在電源電壓為0 .8 V,本征頻率和射頻頻率分別是20 MHz、100 MHz 和1 GHz、2 .4 GHz 的輸入正弦信號時,襯底驅動混頻器的轉換增益為- 1 7 .95 dB 和- 8 .5 dB ,三階輸入截止點的值為3 3 .2 dB 和28 .4 dB ;在0 .6V的單電源電壓下,輸入正弦信號分別為頻率為2 0 MHz、1 00 MHz 和1 GHz、2 .4 GHz 時,准浮柵混頻器的轉換增益為- 14 .23 dB 和- 21 .8 dB ,三階輸入截止點的值為35 .9 dB 和34 .6 dB。仿真結果比較顯示,襯底驅動混頻器具有更高的轉換增益,而准浮柵混頻器具有更好的頻域特性和低壓特性。而且它們在頻率較低時的性能更好。

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8 {, L  w5 j) Q* E. F# F[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-5-24 10:18 PM 編輯 ]