|
請教一下 yhchang 及 ljh 大大,在建立 ibis model 時重要的參數有那些呢?( f0 a# r0 Y* s$ p
v_fix r_fix 等,就我所知是可以調整 transtion 時的曲線 rload 可以調整斜率6 U; O& ?, B& W6 v x1 k
但我改變參數時並沒有很明顯的變化
' T V2 ^# `% C. K" J此外要如何確定 建立的ibis model 是有效且符合原電路呢?
% S# s" n" V# S5 C- u我用 spice 和 run 電路,條件和 ibis 裡面的一樣
8 ]7 C* H, e2 U7 e: K0 V1 c* v6 P但結果圖形 仍是不盡相同' ]! P9 Q" `/ ]5 I
但 ibischk4 驗証過了
# ]* W2 U4 b! Z3 O2 k. T感覺ibischk4 只驗証rule 而已,沒什麼用處的說/ f' l: i( s$ g
且我拿 samsung DDR IBIS model 去 check 也是一堆 error
* E6 `2 x, { }1 Y4 f令人搞不清楚如何才是建立正確的 model+ e, u8 g- n3 l; c( e: F2 ^8 {
9 X) n1 `7 @/ R" u4 a* N煩請前輩們給予指點,謝謝! |
|