求助：測試的商用芯片HBM ESD耐壓為何高於其標稱值？

wangyuestc

一個商用IC只有兩個I/O引腳，datasheet上標稱ESD為2kV（HBM），我們使用HBM測試儀對其測試，正向反向放電各10次，脉衝間隔1秒，測試了10片，結果為3800~4800V，明顯高於其標稱的2kV。
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8 |9 w# F- D3 f& o$ [# d( P, M另外我們對自己開發的多款IC也進行了測試，該IC採用TSMC 180nm 2kV ESD模塊，也是僅有2個I/O引腳，ESD模塊緊貼放置，測試結果在3700~5700V。
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  B* M9 `' o5 E; q" n( u+ u請問這是否合理？是否我們的測試方法出了問題？謝謝大家！

newparadise

這個值要超過才算合格