ALLEN的CMOS模集设计第133页的问题

super_gu

各位大侠：
' g1 |* _8 A" n3 b  C; P- l. u    小弟在研习ALLEN的CMOS模拟集成电路设计的时候，在第133页有一个图4.3-7。对于这个图我有些疑问。希望各位大侠不吝给与帮助和解答。万分感谢。
    问题如下：
* ]! D  N0 q' x: T    M4的W/L是M1,M2,M3的1/4，因而假设4个MOS管都饱和的话，那么M4的VDS=2VON+VT，M3的VDS=VON,M1的VDS=VON,M2的VDS=VON，M5的VDS=VON，这样M5的DRAIN电压为2VON，但是M5的DRAIN链接到了M3的GATE端，而M3的GATE端电压为VT+VON，这就有矛盾了，如果M5的DRAIN电压为VT+VON，则M5的VDS电压为VT，而M5的VGS=VON+VT，不可能使M5进入饱和区工作了。这里我就感到有些困惑，M5工作在什么状态呢？

shangyi

VDSM5 = VT      VGSM5 = VT+VON
3 K0 A# Q5 ?6 S% c- E: ]if VDSM5 >= VGSM5 -VT
6 b) {5 j( F9 ]2 [6 i=>   VT >= VON
7 o. U' Y& a* E5 r, O1 [, `4 |that M5 can be operated in saturation region.

122013137

第133页有一个图4.3-7没有M5啊~？  你的是英文2版？