Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 24834|回復: 3
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 何謂latch Up?如何避免?

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-10-1 20:16:11 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
何謂latch Up?如何避免?2 t/ |1 u' k4 n- h- m

0 Y( L( C' U& ]% [: F我知道是一個閂鎖效應..但不知道面試主管問到..
& B! W" J4 _7 U9 ]$ J0 T$ q+ f0 r" i" d4 N
該怎正確的回答..
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2008-10-2 10:36:35 | 只看該作者
降低sub的阻值,layout上可多打sub-contact,在製程可採用epi製程.
3#
發表於 2008-10-2 13:43:30 | 只看該作者
由於PNP或NPN的BJT相互影響而產生強大的寄生電流
- b  D+ A1 d# C* f; i2 P致使破壞到IC本身的內部元件
3 J. E! a2 h" ?6 D7 F$ q* J! O7 c, g; r/ ]7 F" V# t
要避免的方法通常就是加上Double GuardRing# E- E6 i$ M* N8 R/ H8 d
或是在P/N-mos之間要留有足夠的空間
4#
發表於 2008-10-19 01:07:57 | 只看該作者
其實你仔細去看latch up的等效電路圖,不是有兩個bjt和兩顆電阻嗎,而那兩顆電阻的兩頭分別接到bjt的B和E,而Vbe正是影響bjt開關的關鍵,你有學過bjt吧,此時的bjt的b和e代表的是mos的source和body,Vbe也就是mos的source到body的壓差,而電路圖上的那兩顆電阻,代表的是source到body的寄生電阻。所以要預防latch up,就需去降低Vbe,這樣子那顆寄生的電阻也會值也會小,相對的寄生的bjt也就較不易turn on,latch up就不會發生啦~但是這是已知的狀況所以能夠預防,其他還有很多狀況都會發生latch up,但原因有待追就,所以guard ring要圍好~
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2025-1-1 08:55 PM , Processed in 0.159009 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表