請問Hspice的lis file 的結果.

hycmos

各位好:
& J! ]' R2 Q1 p+ T4 ~. X' J我使用Hspice, MOS device的model是level=49.近日涉及到看lis file. 有個疑惑不能清楚,還望各位幫助.
( l) ^2 I. O' @: K& h# ]* O==========
subckt            
3 m# k5 A0 G0 D! v element  0:mn1     
: p6 R/ |* R; F& }% C model    0:nch.1   
region     Saturati
  id       104.2375u
$ |! e6 H1 {2 M. n  ibs      -83.2443a
  ibd       -3.3600f
  vgs        2.0000
' k. V0 U2 h' N- |7 C  vds        4.0000
- q- d6 d" C- A& s  vbs        0.     
) E0 b# F  _6 t$ _  p, u# J' a  vth      766.7090m
+ d% q* j5 `' |# H) {& C  vdsat    950.1667m
. p$ o' z6 C! ~# o  vod        1.2333
  beta     174.5139u
# Y' ?* ^& d) E, _7 I===============================
+ N$ G; [1 M9 s& C. Y& G! l  K5 T2 a里面的vdsat是什么含義?課本上的解釋似乎應該是(vgs-vth),而我發現vod(overdrive)項才是(vgs-vth).我的印象中一直把vdsat等同于vod.甚為困惑!
在我把vds設定為0.9501667(=vdsat)時候,該MOS的region變為linear.所以,我想象lis file的vdsat是否不需要設計人員關注?

hycmos

不好意思補充一點:
保持vgs不變,再把vds設定為1.2334(>vod),region 依然是staturation;
把vds設定為1.2330(<vod),region就是linear;

) H9 H9 \3 \& Y( F, f* X9 T我判斷Hspice是依據vds,vod來判斷MOS region的.這樣似乎又和MOS Bsim3里面對Vdsat的解釋不同.

yhchang

我剛剛有上Google去找資料
發現 用Device model 用 first-order  不考慮短通道效應時
Vdsat = Vod(overdrive)   當這個條件發生的時候
MOS的通道就出現了 Pinch-off的現象      這時候電流開始飽和

但是如果考慮 短通道效應 (second order effect)
: n/ R( h2 n+ l9 \& Y5 n通道電流有   Velocity saturation(速度飽和)的效應存在
這時候  Vds不需要到Vod   只要到達  Vdsat   Ids就會飽和 不會再上升了
- g. _0 t1 m3 c3 G! b8 c但Physical上  通道尚未pinch-off  必須要等到 Vds=Vod時 通道才會 Pinch-off.  

所以實質上  電流會在 通道pinch-off前就會飽和  教科書的寫法只是為了方便手算以及只考慮主要的一階效應

[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 12:04 AM 編輯 ]

hycmos

很感謝yhchang的解釋,給了我很大啟示.
. ?- q( o9 V. B
在Ids-Vds wave上面可以看出,在Vdsat之后Ids基本就沒有大的上升,基本維持和Vod的時候一樣的電流,同時觀察gm是變化不多,gds變化大致在5~10倍.這也同時說明,在design的時候,某些對gds不是緊要的device處于這段范圍也是可以接受.