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[問題求助] 請教antenna的問題

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1#
發表於 2008-5-9 15:01:28 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這是目前在做whole chip整合發生的問題,當我antenna跑完,使用: \) M! L' p( l7 ]8 a, j
antenna diode去補後,antenna過了,但是lvs卻發生問題,某些線會, Y1 C: b$ P4 }7 s- x
因為diode而有error,是類似斷線的錯誤,有些不會,當我不使用diode
3 Q9 e' m5 @# V而用換層的方式,卻又正常了,這到底是什麼原因.我確信diode沒有
4 t( l, z" x9 H, y; o跨在2條線間,使它們短路,也沒有放在用做區隔電壓的dummy layer/ ^) L2 A5 N0 ?+ ~$ b0 A
下.: T9 W3 m5 }2 S9 {# A! G
還有一個換層的問題,一般從製程來說是朝上換,是沒有疑問的,就我
" j% e+ D$ x6 s" l& ^' F1 V' m的理解,就朝上換一層就行,但是有人說要換top metal才行,昨天辯很3 M. q7 N  s, E3 a" U) p
久,當然2種都會過,不理解的是,用top metal有什麼根據會比較好.8 G1 m* T8 a7 J/ a$ Q( i0 M
2 L6 ]8 p9 `& ?9 f4 B/ {
[ 本帖最後由 sw5722 於 2008-5-9 03:07 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-5-13 23:01:39 | 只看該作者

ANTENNA

TOP METAL 比較上層所以乾淨
! i. f8 n+ T9 ]# M2 E: d請RD改SPI檔請他加DIODE
3#
 樓主| 發表於 2008-5-15 09:58:46 | 只看該作者
TOP METAL是可以使帶有電荷的大面積metal,較慢與gate連接,
7 G2 W. ?6 `5 I1 q但是top metal的rule遠大於一般metal,個人覺得使用上一層就能
$ T  f3 s; G6 \$ Q0 G達到效果,也就是暫時中斷那些電去燒毀poly gate.
( M) }) o2 \& s6 q) v! Q5 q( b/ K一般來說我公司designer都不會在spi檔上加diode,因為出現的. b% w6 x, @. d+ }" b! R( p" x5 d
error report是一樣的,但是在某些線上,會有其他的error.所以才會5 v; A. K' T/ N: i; K' n8 V
用換層取代,只是不知道那些異常error發生原因.
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