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[問題求助] 請教antenna的問題

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1#
發表於 2008-5-9 15:01:28 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這是目前在做whole chip整合發生的問題,當我antenna跑完,使用9 `$ d4 Y3 g5 z; {0 I& l4 [: L
antenna diode去補後,antenna過了,但是lvs卻發生問題,某些線會
* u3 _0 K0 s: j4 ?8 R因為diode而有error,是類似斷線的錯誤,有些不會,當我不使用diode& b+ f$ v' X* }4 R. h- B( F
而用換層的方式,卻又正常了,這到底是什麼原因.我確信diode沒有& V" H2 l+ ]" Q5 e0 {/ j
跨在2條線間,使它們短路,也沒有放在用做區隔電壓的dummy layer0 J3 v$ |" W5 |7 S
下.
, H( P' m# t7 k還有一個換層的問題,一般從製程來說是朝上換,是沒有疑問的,就我; d' O- R0 w; |
的理解,就朝上換一層就行,但是有人說要換top metal才行,昨天辯很: R% K% K/ v; I
久,當然2種都會過,不理解的是,用top metal有什麼根據會比較好.6 C& |( G$ i0 m4 _) S! _7 n
& e# L: v$ M6 }$ i" P  w& p
[ 本帖最後由 sw5722 於 2008-5-9 03:07 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-5-13 23:01:39 | 只看該作者

ANTENNA

TOP METAL 比較上層所以乾淨
; V0 P4 B1 f- h3 G- b' d請RD改SPI檔請他加DIODE
3#
 樓主| 發表於 2008-5-15 09:58:46 | 只看該作者
TOP METAL是可以使帶有電荷的大面積metal,較慢與gate連接,; y3 ~* I+ m  P
但是top metal的rule遠大於一般metal,個人覺得使用上一層就能  c  i+ g5 ]5 F; N! P
達到效果,也就是暫時中斷那些電去燒毀poly gate.
% d1 ^% W7 q( b, O# M一般來說我公司designer都不會在spi檔上加diode,因為出現的
, E4 X$ g: }2 u* {error report是一樣的,但是在某些線上,會有其他的error.所以才會
* j8 l5 a8 |6 C2 X- o9 ^0 W# V用換層取代,只是不知道那些異常error發生原因.
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