達思針對濕式蝕刻清洗台製程推出新型使用端有害氣體清除系統

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全球半導體產業之廢氣處理技術領導廠商德商達思公司( DAS Environmental Expert GmbH  ) 日前針對濕式蝕刻清洗台應用推出使用端(Point-of-Use)有害氣體清除系統SALIX。達思廢氣處理事業部總監Guy Davies博士表示：「此系統完全是因應客戶需求而開發。之前有一家大型晶圓代工客戶尋求可處理濕式蝕刻清洗台廢氣的方案，達思於2012年12月安裝了第一套系統，並從今年元月起運作至今。從廢氣排放測量結果顯示，該系統完全能夠滿足客戶的需求：在廢氣中並未發現任何需清除的有害物質。」
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6 V. B& L" [: m0 I半導體產業同樣面臨的競爭成本壓力
由於該機構秉持對於使用資源的社會責任，而晶片製造商則著重效率，因此從各種角度來看，針對濕式蝕刻清洗台配備使用端清除系統可謂最適解決方案。Davies表示：「一部濕式蝕刻清洗台最多擁有12個腔室，目前，每個腔室的廢氣仍需透過多個廢氣系統來清除，其需要複雜的轉換模組來避免管道內部的沉積。SALIX讓客戶不再需要佔空間的大型設備，所需的只是為每部濕式蝕刻清洗台安裝一套SALIX系統，及一個輸送乾淨廢氣的管道。此外，相較於先前的技術，SALIX更大幅縮小了佔地空間。」

達思是唯一針對單晶圓濕式蝕刻清洗台提供使用端清除技術的供應商，目前業界尚未有其他方案針對相關系統配備使用端清除設備。Davis表示：「目前我們已獲得多家美國客戶的洽詢，由於節省資源的意義遠高於成本，因此業界對於SALIX的興趣已經日益增高」。
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- F- d3 z5 x0 g2 l+ |SALIX透過縮小佔地空間及提高效率降低清除成本
在濕式蝕刻清洗台上生產IC時，晶圓係按照特定製程步驟使用不同的溶液依次清洗。Davis表示：「亦即純水、酸性和鹼性化學溶劑，以及揮發性溶劑。之後這些晶圓會被烘乾，確保沒有殘留物質。清洗200毫米的晶圓時，整個片匣需要浸入溶液。目前晶片製造商依賴所謂的單晶圓清洗製程來清洗300毫米晶圓，該製程會將單片晶圓浸入清洗溶液，並且在其中快速旋轉，透過旋轉，清洗劑可均勻地分佈到晶圓表面，最後從晶圓邊緣被甩出，並透過系統內部的擋板一併收集。」
        從濕式蝕刻清洗台吸出的廢氣含有一定比例的清洗劑 — 不論是以氣相形式或是液滴形式。這些清洗劑先前是藉由極複雜的提取系統來收集。Davies說道：「分離並提取含有酸、鹼及溶劑的廢氣需要以數個系統來進行，因為透過分離吸取方能有效防止管道內出現細粒堆積和冷凝現象。」
4 ]4 v6 P; V% p9 w/ m         SALIX利用化學和物理吸附的兩階段洗滌流程在源頭從氣流中直接清除有害物質。借助分離式出風口，有害氣體從濕式蝕刻清洗台的加工腔室進入預洗滌器，後者透過使用噴嘴對氣體進行預清潔。從此處開始，廢氣進入第一個洗滌階段，之後再到第二階段，並採用完全不同的洗滌液。由於沒有任何對技術或環境的威脅，因此剩下的乾淨氣體可直接排入空氣中。借助使用端清除技術，SALIX可有效防止排氣管發生堵塞。該系統不需任何稀釋空氣，因此經由精心處理的乾淨空氣依然會留在淨室中，而進一步降低成本。

$ i1 a3 H7 P% I0 C達思公司將於2013年9月4日至6日於台北南港展覽館所舉行的”SEMICON Taiwan 2013國際半導體展”中展示相關解決方案。歡迎蒞臨達思展示攤位: booth #1070