安森美半導體針對高能效開關式電源應用推出諧振模式控制器

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內置高電壓端與低電壓端驅動電路，NCP1396為高能效顯示設備電源轉換器、高功率密度交直流電源適配器、遊戲機以及工業用電源帶來緊湊設計
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全球領先的高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出一款內置上橋臂與下橋臂閘極驅動信號的高性能諧振模式控制器NCP1396，這款元件為各種多樣化應用帶來高信賴度的高能效電源設計，包括平面顯示設備電源轉換、高功率密度交直流電源供應器、工業用電源以及遊戲機等。

5 C8 j0 Q* ~% tNCP1396的獨特架構包括一個500 kHz的壓控振盪器，由於在諧振電路結構中避開諧振尖峰相當重要，因此為了將轉換器安排在正確的工作區，NCP1396內置了可調整且精確的最低開關頻率，通過專有高電壓技術支持，這款控制器應用在能夠接受高達600 V本體電壓半橋式應用的自舉MOSFET驅動電路上。此外，可調整的無反應時間(dead time)可以幫助解決上方與下方晶體管相互傳導的問題，同時確保一次端開關在所有負載情況下的零電壓轉換(ZVS)，並輕鬆實現跳週期模式來改善待機能耗以及空載時的工作效率。
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" ]0 q) b3 V* e. }  x* aNCP1396具備多重保護功能，提供更好的電路保護，帶來更安全的轉換器設計而不增加電路的複雜度，NCP1396的各種強化保護功能包括有反饋環路失效偵測、快速與低速事件輸入，以及可以避免在低輸入電壓下工作的電源電壓過低偵測等。
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9 O, t# G, `9 B. f4 t: q5 E面向各種多樣化的電源應用設計，NCP1396提供有兩種版本選擇，NCP1396A主要面向大功率消費類應用設計，NCP1396B則適合工業用電源。
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/ ?7 V. u9 u( D& Q; S* W: ?GreenPoint™參考設計

NCP1396取代NCP1395成為安森美半導體GreenPoint™ 220 W LCD-TV開放式電源參考設計的主要元件，參考設計提供完整文檔，包括說明書、電路圖、材料單、Gerber圖和評估指南，文檔包可以由www.onsemi.com下載(搜尋關鍵字: GreenPoint)，同時並提供相關業內信息和其他支持信息的鏈結。

封裝與售價

8 w: ^1 `/ z3 M# |1 y* P* `NCP1396採SOIC-16封裝，每2,500片的批量單價為$1.60美元，此外也將在近期內推出PDIP-16封裝選擇。

sjhor

上述的  datasheet (NCP1395 & NCP1396) 如 附件  (PDF file)
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[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-5-23 08:55 AM 編輯 ]

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安森美半導體新的大電流集成開關穩壓器提高電訊和數據通訊應用中嵌入式系統的功率密度

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: `) R1 \+ L. L2 I- cNCP3101和NCP3102集成提供高效能和更高功率密度的6 A和10 A同步開關穩壓器，簡化嵌入式電源設計
( k$ m! b1 |" b6 Z0 z. r
4 g" L; L; y9 R2008年1月9日 –全球領先的高效能電源半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出兩款新的開關穩壓器—NCP3101和NCP3102，簡化高密度應用中的嵌入式設計。這些器件提供新的集成度，使客戶能夠以嵌入式設計代替直流-直流(DC-DC)模組，降低系統成本，同時提升功率密度。
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根據Darnell Group行業報告，電流在5到10安培(A)範圍的DC-DC模組正經歷着極大的變化和市場增長。雖然這個電流範圍的非隔離DC-DC轉換器模組市場不是在萎縮就是增速緩慢，但集成的轉換器/穩壓器IC市場在2006年到2011年間預計將增長16%。

/ F, }8 G' r$ F0 j" r: z器件

  @3 S, K2 O& UNCP3102和NCP3101都是集成型開關穩壓器，針對業界對高效能、高功率密度設計的需求。

NCP3102這款10 A同步開關穩壓器，能夠為+5或+12伏(V)電源提供高效能的電源轉換。這器件內置的8毫歐(mW)高端場效應管(HS-FET)和8 mW低端FET (LS-FET)使典型的降壓轉換應用的效能超過92%。NCP3102還內置0.8 V電壓參考，用於如今所需要的低於1 V操作。

NCP3101這款與NCP3102針腳對針腳相容的6 A同步開關穩壓器，它的針腳相容能力使設計工程師調整他們的電源解決方案而無須重新設計其印制電路板(PCB)。舉例來說，在很多使用現場可編程門陣列(FPGA)的設計中，最終的功率需求直到設計週期的末期才能知曉。NCP3101提供真正的設計靈活性，令設計工程師可根據系統要求來向上或向下調整功率需求。

( y! U1 F) K: W. Q8 T# ?7 i其他特性
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．可編程軟啟動
．逐週期電流限制
# D; b- O/ a3 ]1 L, N．可編程電流限制
8 C2 B' y0 S# Q  b; v．6 mm × 6 mm QFN封裝
( K; Q  w% ]2 b6 f$ u) y
! y; a9 L2 ]# `( M' I# C安森美半導體汽車及電源管理產品部全球銷售及市場總監鄭兆雄說：“NCP3101和NCP3102使客戶輕鬆地從現有的DC-DC模組轉到嵌入式設計，能夠快速輕易地降低系統成本。這對電流消耗通常較高的FPGA設計，或對我們當前使用DC-DC模組或其他昂貴集成解決方案的客戶來說，尤為真切。在某些案例中，我們新的解決方案幫助客戶降低系統成本多達50%。”

商業溫度等級的NCP3102和NCP3101，及工業溫度等級的NCP3102B和NCP3101B已供貨。NCP3102和NCP3101採用6 mm × 6 mm QFN封裝，每10,000片批量的單價分別為1.90和1.75美元。
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安森美半導體推出相容I2C及SPI的高精度數位電位計

256抽頭數位可編程電位計(DPP™) IC提供50 kΩ及100 kΩ電阻選擇，穩定度及可靠性更高

2009年6月15日 –
6 s7 D# z: h+ ^全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充數位可編程電位計(DPP™) IC系列，推出整合了I2C及串列外設介面(SPI)匯流排連接的新的高精度元件。這些新的DPP為機械式電位計提供了低雜訊、可靠及節省空間的另一選擇，用於從儀器和工業自動化到電池供電的可攜式設備的廣泛應用。
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- M9 T2 s- ~; R& Z% h) @安森美半導體的CAT5171和CAT5172是單通道、數位可編程線性電阻分佈特性(linear taper)電位計，提供256個抽頭(tap)位置的精度。這兩款元件分別藉I2C和SPI介面提供電阻觸點(wiper)設置的數位控制，且兩款元件都提供50千歐姆(kΩ)和100 kΩ的端到端電阻選擇。

CAT5171和CAT5172對機械振動、撞擊、氧化、灰塵及污垢均不敏感，勝於機械式電位計。它們都有每攝氏度百萬分之一百(100 ppm/ºC)的低溫度係數，因此在更多不同的環境下比機械式電位計更穩定和更可靠。

這些新的的DPP非常適合音量控制、照明控制、液晶顯示(LCD)螢幕調節及其它需要電子控制關鍵參數的電路。此外，這些元件也為射頻(RF)放大器偏置和增益控制提供靈活的解決方案。
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5 O! \% J2 c# U3 c8 S6 w" D安森美半導體的CAT5171和CAT5172額定用於-40 ºC至85 ºC的完整工業溫度範圍，在2.7伏(V)至5.5 V範圍的單電源電壓工作。上電(power-up)時，電阻觸點預定處在中跨(mid-span)位置，電源穩定後的任何時候，都可以重新調整這電阻觸點的位置。兩款元件的工作電流僅為2微安(μA)。

& _# \' |; s8 v- O- |( p封裝及價格
CAT5171和CAT5172數位可編程電位計採用無鉛、符合RoHS指令的8引腳SOT-23封裝，尺寸僅為2.9 mm x 3.0 mm。每10,000顆批量的單價為0.60美元。現提供樣品。目前的預計量產交貨時間為收到訂單後的8至12周（自動循環購貨 ARO）。

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安森美半導體精密類比創新水準，

推出超低耗電、高精度類比電壓參考IC

CAT8900元件提供高至0.02%的精度，電源電流低至800 nA，為測試設備及可攜式系統提供高精度性能

% k% F7 B8 _8 Z" a6 ^9 e2009年8月10日 - 全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)的高成本效益精密類比創新水準，推出CAT8900高精度電壓參考積體電路(IC)系列。CAT8900系列結合極高的初始精度、低電源電流消耗及穩定的溫度係數，使測試設備及電池供電的可攜式數據採集系統提供高精度的性能。
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! r& k. B; I0 \1 T  t0 ^# kCAT8900 IC系列提供高精度電壓參考，初始精度高達0.02%[± 0.5毫伏(mV)]，穩定的溫度係數達每攝氏度百萬分之二十(20 ppm/ºC)，同時維持極低的電源電流消耗，最大值僅800毫微安(nA)。低電流消耗使CAT8900電壓參考IC持續保持供電，及最低的電池負載。這些元件的低耗電結合極高的初始精度和溫度穩定性非常適合替代廣泛可攜式應用中的高耗電、更高成本的帶差參考，包括手持醫療設備、高精度類比數位轉換器(ADC)和數位類比轉換器(DAC)，以及精密穩壓器系統。
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1 H6 i0 X% S1 u5 ?, O1 JCAT8900系列備有9款電壓參考選擇：1.024伏(V)、1.200 V、1.250 V、1.800 V、2.048 V、2.500 V、2.600 V、3.000 V及3.300 V，安森美半導體還可根據客戶要求提供定制的電壓。每款電壓參考IC均有4種精度等級：±0.5 mV、±1.0 mV、±2.5 mV和±5.0 mV。這系列元件流出(source)或流入(sink)達10毫安培(mA)的負載電流，壓降低至50 mV。在大多數應用中，它們不需輸出旁路電容。  

封裝和定價
# a+ \- x! J" o2 l: h" _2 eCAT8900精密電壓參考採用無鉛、符合RoHS指令的3針腳SOT-23封裝。每10,000顆批量的單價：初始精度為±5.0 mV的版本為0.60美元；初始精度為±2.5 mV的版本為0.92美元；初始精度為±1.0 mV的版本為1.55美元；初始精度為±0.5 mV的版本為2.44美元。公司已提供樣品。目前的預計量產交貨時間為收到訂單後的8至12周(自動循環購貨)。

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低壓驅動器為數據通訊和電信設備製造商提供更高的數據率和更高等級的訊號完整性  
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2010年1月29日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈擴充公司的時脈驅動器系列，推出NB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M差分2：1多工器輸入至1：6元件，以及帶均衡功能的NB6HQ14M和NB7HQ14M 1：4扇出時脈/數據驅動器。

NB6HQ14M和NB7HQ14M高性能差分1：4電流模式邏輯(CML)時脈驅動器中整合了可選擇的等化器接收器。當與工作資料率高達6.5 Gbps或10 Gbps的數據通道串聯佈置時，輸入將補償退化的訊號，輸出4個相同的原始輸入訊號的CML副本。通過降低由銅互連或長線纜損耗導致的碼間干擾(ISI)，串列數據率因此得以增加。

: R  V3 I1 f6 R- F; t7 Y' g( u4 rNB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M是Gigacomm™系列的最新元件，提供整合了2：1多工器與1：6扇出緩衝器的新的2：1：6功能。NB7L585和NB7L585R是2.5 V/3.3 V元件，分別提供400毫伏(mV)峰-峰值低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)輸出或降低擺幅射極耦合邏輯(RSECL)輸出。NB7L585工作速率為5 GHz或8 Gbps，NB7L585R工作速率為7 GHz或10 Gbps。

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NB7V585M是一款超低電壓元件，採用1.8 V/2.5 V電源工作。NB7V586M採用超低的1.8 V電源工作，提供6路輸出，配置為3組(bank)，每組含2個差分對。每組輸出能夠靈活地採用任何1.8 V或1.2 V電源組合來供電。這兩款元件工作的時脈/數據率均達6 GHz/10 Gbps。

這些時脈驅動器達到的規範使它們非常適合用於同步光網路(SONET)、千兆位以太網(GbE)、光纖信道(FC)、背板及其它時脈/數據分配應用。每款元件的環境工作溫度範圍為−40℃至+85℃。

; D" _  Z/ `" k( y: o& V* a$ k安森美半導體時脈和數據管理業務部總監Prescott Sakai說：「電信交換機、伺服器和路由器的系統設計面臨著壓力，要支援不斷增多的時脈和數據介面及電壓電平，同時不犧牲訊號品質。我們公司的新時脈驅動器提供帶均衡特性的新的整合功能，支援不同的介面和低壓電平選擇。這些元件在競爭供應商完全不能匹敵的資料率維持更高的訊號完整性。」

! A! }+ l% W# i封裝和價格

+ l* K5 t9 ^# M9 WNB7L585、NB7L585R、NB7V585M、NB7V586M、NB6HQ14M及NB7HQ14M每1,000顆批量的起價為5.25美元。這些元件採用低高度的3 mm x 3 mm 16引腳或5 mm x 5 mm 32引腳無鉛QFN封裝。現提供樣品。

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安森美半導體推出用於高能效緊湊型適配器方案的固定頻率電流模式控制器
控制器為寬範圍AC-DC適配器應用提供高能效及低待機能耗

2010年3月2日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出NCP1237、NCP1238及NCP1288固定頻率電流模式控制器積體電路(IC)。這些新控制器針對膝上型/筆記型電腦、液晶顯示器(LCD)、印表機及家用消費電子的交流-直流(AC-DC)適配器應用，提供不同頻率及單或雙過流閾值電平的選擇。標準元件內置65千赫茲(kHz)振盪器，並可根據要求提供100 kHz或133 kHz版本。
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# g' D) P, }1 X3 Z9 q* x% G; M3 C這些IC採用了專有的軟跳週期(Soft−Skip™)模式，在跳週期模式期間漸進增加峰值電流 ，降低可聽噪音的風險，從而節省更多的元器件，並簡化變壓器的設計和製造。這些新控制器結合跳週期和頻率反走功能，在輕載條件下提供高能效等級，同時將空載條件下的輸入能耗降至最低。
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NCP1237和NCP1238的動態自供電(DSS)功能提供整合啟動電流源，靈巧地處理啟動及線路瞬態事件，簡化輔助電源設計，減小供電電壓(VCC)電容尺寸。為儘量減少外部元件數量，這些控制器整合了輸入欠壓、超載補償及斜坡補償功能，以便緊湊型方案的設計。

這些新的固定頻率電流模式控制器IC工作溫度範圍為-40°C至+125°C，採用緊湊型SOIC-7封裝。

0 k) B' x$ X+ q. F! R/ J安森美半導體電源及可攜式產品全球銷售及營銷資深總監鄭兆雄說：「隨著電費不斷上升，以及人們持續關注環境，竭力以最高的能效比率使用電力至關重要。NCP1237、NCP1238及NCP1288是高整合度方案，使工程師可開發高可靠性的電源系統設計，且物料清單(BOM)成本低，以及在產品在待機模式時不浪費電能。」

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安森美半導體擴充高壓功率方案系列，推出帶整合蕭特基二極體的30 V N通道功率MOSFET
創新的單片設計提供更高的系統能效及更低的電磁干擾(EMI)噪聲

: n* |3 j& F8 ]7 f# q2010年4月9日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充N通道功率MOSFET元件陣容，新推出帶整合蕭特基二極體的30 V產品。

- h- [% G$ x- G( }. q% i% ?NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開關損耗也保持最低。  
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9 O. ]1 H' Y+ J安森美半導體這些新的功率MOSFET典型應用包括用於伺服器、電信網路設施、個人電腦(PC)、筆記型電腦及遊戲機的直流-直流(DC-DC)轉換、負載點(POL)轉換及低端開關操作。  
$ e& G2 |8 k4 r8 D
$ c' J# \2 I7 M" N  Q( p安森美半導體功率MOSFET業務部副總裁兼總經理Paul Leonard說：「整合蕭特基二極管借助於整合在與初級FET結構相同的裸片中，減小死區時間導電損耗，因而提升能效及改善波形。這些新的元件為客戶提供更寬陣容的產品及方案，解決他們獨特的設計挑戰。」

3 C2 B6 o; t: J! G* C- Z  h封裝及價格

+ H: p% H* N1 Z  u$ n, v+ T4 GNTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均採用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些元件每10,000顆批量的價格為0.45美元至0.90美元。

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安森美半導體推出新的時脈和數據多工器產品，優化實現高速、低功耗設計
新元件滿足更快資料傳輸率、更高時脈頻率而無損訊號完整性的要求
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" ^4 H2 b; s5 m9 E" N9 [2 r3 t9 ^2010年4月27日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充多工器產品陣容，新推出NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572、NB6LQ572M、NB7VQ58M和NB7V58M 多工/扇出元件，可在高輸入速率/時脈頻率下工作。這些新元件均適用於SONET、千兆乙太網、光纖通道、背板及其他時脈/數據分配應用。

: l" l6 l  g# P" |, g* e' s6 W% nNB6VQ572M和NB6LQ572M高性能差分4:1時脈/數據輸入多工器帶有1:2電流模式邏輯（CML）時鐘/數據扇出緩衝器，運行電源電壓為1.8 V、2.5 V或3.3 V，工作速率高達
. c& C5 w( i( d' T4 x+ c' i6 GHz/8 Gbps。新元件具有小於10 ps的數據相關抖動，以及小於0.8 ps RMS的隨機時脈抖動。

8 y  R7 r0 g4 b8 O% t4 VNB7L572和NB6LQ572高性能差分4:1時脈/數據輸入多工器具有1:2的低壓正射極耦合邏輯（LVPECL）時脈/數據扇出緩衝器。該元件的差分INx/Inxb輸入包括內部50 Ω（歐姆）終端電阻，並可接受差分LVPECL、低壓差分訊號（LVDS）或CML邏輯電平。同時，這些元件還整合了一對可選引腳，可以從4個差分輸入中選擇其一，並為速率高達7 GHz/10 Gbps的時脈或數據產生兩個相同的LVPECL輸出備份。NB6L572M和NB6LQ572M補充了該產品陣容。前者擁有1:2的CML時脈/數據扇出緩衝器，運行速率高達6 GHz/8 Gbps；後者支持相同的速度，但每一個輸入對都整合了一個固定均衡器接收器，以提高通過FR4 PCB背板或電纜互連傳輸的降級訊號。

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NB7VQ58M高性能差分2:1時脈/數據多工器也有一個可選的均衡器接收器。當與運行速率高達10.7 Gbps的數據路徑串聯時，它可以補償降級訊號，創造一個更加開放的眼圖，實現標準FR4以上的更高資料傳輸率。NB7V58M 2:1時脈/數據多工器的差分輸入整合了內部50 Ω終端電阻，通過VT引腳進入。這個特性讓元件可接受LVPECL、CML和LVDS邏輯電平標準。NB7V58M的時脈/數據抖動最小，並可在7 GHz/10.7 Gbps的速率下工作。每個元件的工作溫度範圍均為-40 ⁰C至 +85 ⁰C。

& [7 x! e0 u1 P: I+ j8 N安森美半導體時脈和數據管理產品總監Prescott Sakai 表示：「工程師期望實現更高的時脈速度和資料傳輸率，但又須確保無損訊號完整性。這些新的時序元件支援現代系統設計需要的高速資料傳輸率，同時保持低抖動，並補償訊號損失。」
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4 E4 N* x5 _5 n( {( R0 a7 R. q封裝及價格

NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572和NB6LQ572M均採用5 mm x 5 mm QFN-32封裝。NB7VQ58M和NB7V58M採用扁平3 mm x 3 mm QFN-16封裝。這些元件每1,000顆批量的價格為6.5美元。

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安森美半導體推出用於運算及消費應用的高能效同步整流驅動器
* Y% [1 J3 Y, d  \* d# t高整合度、豐富特性的元件提升開關電源設計的電源能效等級

& j6 b* w( C* b2 n& O3 J2010年5月5日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充產品系列，配合下一代電源系統設計。NCP4303A和NCP4303B是全功能同步整流控制器及驅動器積體電路(IC)，用於ATX電源、平板電視、大功率交流-直流(AC-DC)適配器和遊戲機等應用中的開關電源(SMPS)。它們的獨特特性為開關電源次級端整流提供高效及靈活的方案。
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: X3 B) I% b- d7 {安森美半導體AC-DC電源轉換產品業務部經理Christophe Warin說：「在提升電源能效方面，工程師們面臨著比以前更大的壓力。NCP4303產品系列提供獨特的特性，如我們的專利MOSFET寄生電感補償技術。此特性為優化同步整流系統能效提供了一種新方法。」

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這些新IC能支援500 kHz的最大工作頻率，提供大電流門驅動器及高速邏輯電路，用於為同步整流MOSFET提供時序恰當的驅動訊號。典型值40 ns的極短關閉延遲時間，結合驅動器大汲電流(sink current)能力和自動封裝寄生電感補償系統，使同步整流MOSFET導電時間延至最長，從而提升開關電源能效。
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$ z, J& |  t  m/ O外部可調節的最小導通和關閉時間(取決於Vcc電平)幫助解決由印刷電路板(PCB)佈線及其它寄生元件導致的振鈴問題，因而提供可靠及無噪聲的工作。NCP4303還具有觸發器輸入，可用作接口連接電源的初級端，能用於恆流應用。  
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NCP4303提供兩種不同的門驅動鉗位電壓，配合市場上不同同步MOSFET的特性。NCP4303A門驅動鉗位元電壓為12 V，而NCP4303B的門驅動鉗位電壓為6 V。這些通用元件能用於不同電源拓撲結構，如反激、正激和半橋諧振雙電感加單電容(LLC)。
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8 y; }" S6 x) k* L' a/ t# w封裝和價格

NCP4303A和NCP4303B都採用無鉛8引腳SOIC封裝供貨，每10,000顆批量的單價均為0.43美元。

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安森美半導體推出IPD2製程技術，結合HighQ™性能和小尺寸，用於可攜式電子應用
) s0 D5 s4 \6 O" F4 S2 p$ ~輔以設計工具和快速原型製造的先進矽銅工藝，可快速開發高性價比的射頻前端產品
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7 H5 r& M4 O  A  ]: O5 @& C# v2010年5月28日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的整合無源元件(IPD)製程技術——IPD2。這項新的製程是公司增強既有的HighQ™矽銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性價比的整合無源元件，用於可攜式電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。

! V& _4 D7 W# B7 x" wHighQ™ IPD2製程是安森美半導體訂製代工部眾多創新製造服務之一，採用先進的8吋晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用於最新可攜式和無線應用。以IPD2為根基的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同於延長電池使用時間)。
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' h* t& l, A* E! m/ K安森美半導體為其IPD2製程技術提供全功能設計工具和設計支援，以及快速的原型製造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們複雜度較低的分立或整合印刷電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，或是以更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)為基礎的IPD是否適合轉換至IPD2製程。
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' p$ g( P* i. c& H& i0 f$ Z安森美半導體訂製代工部資深總監Rick Whitcomb說：「在高性價比、小尺寸和低插入損耗的平臺上整合無源元件，能為電池供電可攜式電子產品設計人員提供極有用的方案。我們以全套設計工具和技術配合這項新製程，能夠幫助客戶以最短的時間和最大的信心，從效用相對較低的技術轉換至我們的IPD2製程。”

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安森美半導體收購這間加拿大公司，鞏固其在助聽器及音頻處理應用的超低功耗DSP技術領先供應商的地位

美國亞利桑那州費尼克斯 – 2010年6月14日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）宣佈，已自Global Equity Capital LLC的附屬公司收購其私人持有的Sound Design Technologies, Ltd.（SDT），初步對價2,200萬美元，全數以現金支付。

: Z7 I/ D$ m' G) J' M* ?' R" F根據收購條款，其中如SDT於2010年、2011年及2012年能達到特定收入額，賣方亦將可獲得最多1,000萬美元額外收購收益。初步對價約為SDT 2010年第一季度的年度化銷售額。SDT將被納入安森美半導體位於加拿大安大略省滑鐵盧的醫療部。
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% ~* u" W# U8 c! }安森美半導體醫療部副總裁唐舜強（Robert Tong）說：「收購Sound Design Technologies有助鞏固我們在助聽器及音頻處理應用超低功耗數位訊號處理（DSP）技術的領先供應商地位。此外，收購也增強公司的人才，並為我們的聽力市場增添一支經驗豐富的設計及應用工程生力軍。SDT在晶片級電容及高密度封裝的先進製造技術亦將有助我們擴充提供先進高度微型化封裝技術的實力， 對助聽器及同樣講究產品尺寸與醫療級品質的應用極為關鍵。」

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Global Equity Capital營運執行副總裁Michael Hirano說：「將SDT的尖端技術與安森美半導體遍及全球的營運規模及行業專長相結合是我們商業進程中的自然發展，也將為SDT的客戶帶來更先進的聽力產品。」
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  T% {1 G' S" KSDT是助聽器及可攜式電池驅動DSP設備超低功耗半導體方案的領先設計及製造商，也是用於訂製微型封裝的先進高密度互聯技術的領先供應商。SDT位於加拿大安大略省Burlington市，擁有37年發展創新微型聽力處理器的歷史。2007年，Gennum Corporation的聽力產品及製造被收購組成SDT。更多訊息請訪問www.sounddesigntechnologies.com。

關於Global Equity Capital, LLC
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9 ?$ @! I8 m  B" rGlobal Equity Capital LLC （GEC）是一家私募股權公司， 主要在中小型市場交易以豐富的營運經驗去創造價值。GEC為公共及私人企業快速和靈活地出售非核心資產、改善企業的財務和營運狀況，以及協助成長中的企業物色業務及財政資源。GEC由經驗豐富的團隊領導，多年來在其投資的公司為股東及管理層創造重要價值的業績輝煌。GEC總部位於科羅拉多州 Boulder市。更多訊息請訪問www.globalequitycap.com。

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安森美半導體推出採用緊湊SOIC-8封裝的高能效同步穩壓器
) Q7 \8 {3 G! @- B, q1 J新穩壓器經過特別優化，滿足消費電子高能效電源系統設計的需求
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8 A* @, }" |( b. B4 a3 S2010年6月24日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高能效2安培(A)至4 A整合同步穩壓器新系列，應用於消費電子，如機上盒(STB)、數位影像光碟(DVD)/硬碟驅動器、液晶顯示器/液晶電視、免持聽筒電話、纜線數據機和電信/數據通信設備。
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( z1 ?8 f" m5 q$ Z7 i" Z# d. ZNCP3125、NCP3126和NCP3127是同步脈衝寬調變(PWM)開關降壓穩壓器，整合了高端和低端MOSFET，分別能夠提供2 A、3 A和4 A的連續輸出電流。這些新元件為整合開關提供極低導通阻抗(RDS(on))，帶來高能效的系統方案。NCP3125整合了60毫歐(mΩ)的高端MOSFET和36 mΩ的低端MOSFET，提供高於90%的系統級能效。這三款新元件在+5伏(V)至+12 V的輸入電源下，全都能夠產生低至0.8 V的輸出電壓。所有三款元件都引腳對引腳相容，使設計人員能夠在產品開發過程中靈活地增大或減小輸出電流，或快速在新設計中重複採用， 以加快產品開發。這些元件支援−40 °C至+125 °C的工作接面溫度。
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安森美半導體電源開關產品總監John Blake說：「這些新元件與使用由一顆控制器整合電路(IC)及獨立MOSFET的分立元器件方案相比，使設計師能完成更高密度的電源設計。我們新系列提供的能效等級超越市場上的整合穩壓器競爭產品。因此，設計團隊將能夠以更小巧緊湊的整合方案，設計出更高性能基準的電源。這是我們的關鍵實力，令客戶可加強他們的設計，符合不同消費電子產品的新能效標準。」

NCP3125、NCP3126和NCP3127元件採用SOIC-8封裝，每10,000顆批量的單價分別為0.40、0.35和0.30美元。

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安森美半導體擴充PureEdge™時脈和時序產品陣容，推出低噪聲矽VCXO方案新系列
& S1 W8 y! O  t1 SNBVSBAxxx新系列的性能和性價比均比表面聲波或石英壓控晶體振盪器有優勢  

2010年7月14日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的PureEdgeTM系列矽壓控晶體振盪器(VCXO)。新的NBVSBAxxx系列提供比市面上其他方案更低的成本和超低的抖動和相位噪聲，非常適合應用於講究低抖動及穩定參考時脈的設計， 例如網路、同步光網路(SONET)、萬兆位以太網(10 GbE)、基地台和廣播設備等。

NBVSBAxxx元件的設計符合2.5 V和3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)時脈產生應用的要求，提供0.5皮秒(ps)低抖動的參考時脈。它們由於能以2.5 V或3.3 V電源供電，所以提供了設計靈活性及簡化了產品物料清單(BOM)，進一步降低系統成本。此系列元件使用高Q基礎模式可拉(pullable)晶體和鎖相環(PLL)乘法器，提供60 MHz到700 MHz的寬範圍業界標準頻率，以及
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±100 ppm的確保可拉範圍和±50 ppm的頻率穩定性。NBVSBAxxx振盪器提供三態啟用/關閉特性，使用戶能夠在-40 °C到+85 °C的完整工業溫度範圍內導通或關閉輸出。

安森美半導體時脈和數據產品總監Prescott Sakai說：「基於表面聲波(SAW)或石英的壓控時脈振盪器面市已久，性能和成本達到了極限。安森美半導體基於矽的PureEdge™元件應運而生，成為當前及未來設計的優異選擇。此新系列元件與現有方案相比，提供同等甚或更佳的總體性能，更靈活的設計，還降低成本，縮短交貨週期時間。」
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, @" ]4 j% s3 _; JNBVSBAxxx元件採用密封式5.0 mm x 7.0 mm x 1.9 mm陶瓷CLCC-6表面貼裝元件(SMD)封裝，每1,000顆批量的預算單價為6.50美元。

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安森美半導體推出緊湊型PLC方案降低元件數量及應用成本 符合包括CENELEC在內的全球規範標準

/ A: h% o' c/ w; ~: c9 L$ _; o' N8 A2010年8月18日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一款新的線路驅動器件NCS5650，用於智慧型電表、工業控制和街道照明等電力線載波(PLC)通訊應用。NCS5650是一款高能效、低失真的AB類驅動器，專門用於驅動電力線路主電源(mains)，能夠接受源自任何PLC調制解調器的訊號。

NCS5650包含一個運算放大器，能配置為均一增益(unity gain)跟隨緩衝器，或另行用作提供第一段的4點低通濾波器。輸出段能夠驅動高達2.0 A峰值電流，經隔離變壓器或簡單的線圈耦合至主電源。在輸出電流為1.5 A時，輸出電壓確保在任意輸入端以1.0 V或更低的擺幅擺動，確保在嚴格的環境中提供最優的訊噪比(SNR)。NCS5650在關閉模式僅消耗150 µA電流。可選用的電源包括單端6 V至12 V電源和雙平衡±3.0 V至±6.0 V電源。
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NCS5650提供獨特的全功率頻寬特性，可在世界任何地區的PLC網路中工作，同時符合歐洲電工標準化委員會(CENELEC)等區域性PLC頻率頻寬規範標準。

# \( l* \0 o2 k此元件支援−40 °C至+125 °C的擴展結溫度範圍，採用帶裸露熱焊盤的緊湊型QFN封裝，提供更高的熱耗散性能，以及更強的熱可靠性，幫助對成本敏感的設計人員進一步降低物料清單(BOM)成本。
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2 J6 Q9 |* {; Q0 y1 DNCS5650採用緊湊型20引腳4 mm x 4 mm x 1 mm無鉛QFN封裝，每10,000顆批量的單價為3.73美元。

安森美半導體音頻、視頻和介面產品分部總經理Simon Keeton說：「電力線通訊的問世使公用事業公司能夠為他們的配電網路增加更高等級的功能，從而讓消費者更能掌握他
, R9 s. I4 ?" J8 C* s1 y們的能耗。與諸如安森美半導體AMIS-49587這樣的領先擴頻型頻移鍵控(S-FSK) 調制解調器一起使用時，NCS5650用作自適應的PLC通訊方案，提供理想的性價比。利用這方案的設計能夠獲得整合度更高的優勢，使元器件數量更少，總體BOM成本更低。」

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安森美半導體新元件配合開發高能效的下一代可攜式及消費電子產品
公司推出用於寬廣範圍可攜式及消費應用的整合D類音訊放大器和限流開關產品
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% S- ?- a& O: g! y2010年11月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出設計用於配合可攜式及消費電子應用的4款新產品。

- Z9 v% V! P. {' {6 Z安森美半導體為可攜式及消費應用提供寬廣範圍的電源管理、保護、音訊及視訊方案。安森美半導體注重以低高度、小占位面積的封裝提供整合、低功耗和高能效，以配合智慧手機、個人媒體播放器(PMP)、數位相機、液晶電視、機上盒和DVD播放機等當前及未來可攜式及消費產品的需求。  
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3 R  l1 F7 W0 d安森美半導體在2010年慕尼黑電子展推出的可攜式及消費類產品
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NCP2704音訊子系統積體電路和NCP2824低噪聲D類放大器是安森美半導體推出的最新音訊產品。此兩款元件因應設計人員的可攜式功率放大器要求，提供高能效和節省空間的方案。
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  d+ B/ d7 b5 z1 s! O" m- o" S9 R: ?NCP2824是低電磁干擾(EMI)的D類放大器，帶有自動增益控制(AGC)和功率限制器功能。NCP2704是一個子系統，整合了低噪聲D類放大器與極低功率耳機放大器，延長電池使用時間從而延長了音訊播放時間。兩款元件都提供近90%的總能效，其設計涵蓋手機、行動上網設備及車用免持聽筒套件等寬廣範圍的可攜式電子設備。