prisim 波形

lucky

, k2 Z: |9 z' L# O0 d9 Q" E' J圖一

3 U9 b4 q1 e" Z/ c" o圖二

: x) e) N; ?" Z: X! i4 p: J圖三

各位大大：我 的bandgap prisim 之後波形本該如圖一
, Y- K$ J) K7 J6 L, J
            但我模擬出來的卻是圖二 其圖三的箭頭波形如
: S- @3 f4 Z+ K3 m2 |             圖二所示比較像圖一，反而vbp輸出卻是反相
               這是什麼原因?該怎麼解決?
                                         請大大為我解答，感恩

billlin

Q9要Q10的M倍(example:M=9)
才能在R1電阻產生PTAT的電流,
PTAT電流流到R2電阻產生正溫度電壓,
與Q2的負溫度電壓做抵消動做,
M4/M0/M3不知道是甚麼做用,
也不像start-up電路.

lucky

回復 2# billlin
, O# k2 i" g6 y8 f% G+ v

billlin 大大：
/ x2 F. W! B& {6 T
4 M7 R$ ^- Y' t- k8 u- I6 q7 {m4 m3 m0 是start  up 電路，

. {3 }' C: ]- d! C另外我prisim 結果如圖
0 R7 w& A- Y: F; ~/ O
這樣的曲線對嗎?

lucky

回復 2# billlin
& `* F# j5 S. B, {0 W. v. o3 w

9 p% Y3 W: l& B. X" H' g    billlin 大大：我這電路只有Q9&Q10呈倍數SIZE關係嗎?

finster

1.你的BJT請都採用同一種面積大小的BJT,如PNP5,或者PNP10,請不要在Bandgap電路中採用不同面積的BJT,這個樣子特性會不朝同一方向
2.Q0和Q10有其倍率關係,若照你提供的電路來看,Q0是Q10的N倍關係,通常是取8,這個關係是因為Layout的緣故
3.在作模擬時,建議把電阻model也帶入作模擬,這個樣子會比較準
3 `9 Q; |' M5 w0 j% z" Y3 ?8 @4.在看Bandgap模擬的結果時,會比較建議在單一工作電壓下,掃溫度,然後觀察溫度變化和Vbg的電壓變化,目前你所提供的圖是電壓變化,會比較失去Bandgap電路要的特性,建議你該附一張橫軸是溫度,縱軸是Vbg的圖,這個樣子會比較容易看出你模擬出來的結果是否符合Bandgap電路特性
5.你的size建議不要用minimum size,這個樣子在不同corner和溫度變化時很容易跑掉
+ S: m* n/ y- m/ m4 E4 f6.你的start-up電路會有起不來的可能,建議修改(你目前的問題應該不是start-up所引起的),另外,在觀看Start-up特性是以Power ramp的形式,然後觀察你電路中net109和net104的電壓變化
8 p  E# V0 o5 l, \4 P7.建議你可參考Razavi所著的"Design of Analog CMOS Integrated Circuits"一書中第11章,裡面有詳加描述Bandgap電路的特性

lucky

回復 5# finster
& S; l. e" t3 ?+ e2 x5 l
2 u( @; z# e! }7 S; f0 M大大：  感謝您的解答，
& p/ I# ^  J+ K
( \2 N4 N7 p7 ?2 @: b! |9 o+ h          我的 bjt 已改pnp10  且我所模擬出來的波形是如下
, `3 C* E- u' z         

                如何看出它就是bandgap 所需的特性?

billlin

正確的溫度與bandgap電壓的關係是一個碗狀的圖
你可以掃溫度與BJT電壓的圖,然後對圖做微分,會得到負的溫度係數
      掃溫度與R1兩端電壓差的圖,然後對圖做微分,會得到正的溫度係數
. T1 \8 A+ o& G' @4 d8 Y  z要抵消一皆溫度係數的話,
. R) ^( ~& C7 F. n. U8 v  w(負的溫度係數)+K倍X(正的溫度係數)=0
K倍是圖中R2/R1的ratio
. c/ ~2 q+ v8 o! E$ z0 y* o, C應該是這樣就可得到剩2皆溫度係數的碗狀圖.