Diodes新型封裝元件有效節省PCB空間及增強充電器效能

heavy91

Diodes公司近日推出了採用高熱效、超微型DFN封裝的新型雙元件組合，適用於可攜式設備的充電和開關應用。

8 A6 Y8 o: \' |) c$ ?Diodes 亞太區技術市場總監梁後權指出，最新DMS2220LFDB及 DMS2120LFWB元件把一個20V的P通道增強型MOSFET與一個相伴的二極管結合封裝，提供2 x 2毫米的DFN2020格式和3 x 2毫米的DFN3020格式。另外的DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET聯合封裝成DFN2020格式。
$ n# m6 O- `7 H* Y% D  e  g' c
5 b+ p  b* b4 E- T. u) R" [相較於傳統可攜式應用設計中體積較大的3 x 3毫米封裝，DFN2020可以節省55% 的PCB空間；離板高度只有0.5毫米，比傳統的封裝薄一半，能完全滿足下一代產品設計的需求。用於這些封裝的MOSFET皆具有低閘極電荷，在
/ K3 h3 E! w* X7 s! ^& {, r: V  ~' r1.8V的VGS下典型RDS(ON) 為86mΩ，可以保持最低的開關和通態損耗。

為了進一步提高操作效率，Diodes公司特別在這些封裝內採用了本身的高效能超級勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier)。元件的典型正向電壓低至0.42V，功率耗散量遠遠低於現在一般Schottky二極管。

chip123

Diodes最新微型監控器有效延長可攜式應用電池壽命

Diodes公司近日推出了一款新的微型電流監控器，為可攜式應用提供世界上體積最小的電池電流測量解決方案。最新的ZXCT1023元件採用很薄的4管腳型1.2 x 1.8毫米DFN封裝，能夠妥善支援系統管理功能，有效延長動態運行時間。
6 M3 g7 x+ L( X' r4 [
ZXCT1023是一款相當精確的高端電流監控器，固定增益為50，只需要一個外部的電流感應電阻器，便夠能準確監控電流。該元件的典型靜態電流消耗量只有3.5微安，有助於減低電源洩漏，延長電池壽命。

Diodes 亞太區技術市場總監梁後權指出，這款監控器的操作電壓範圍比較寬，由2.5V到20V，故適合不同類型的鋰離子和鋰聚合物電池結構。一般應用包括電池充電、電池容量測量和過電監控，適用於PDA、行動電話和MP3播放機等不同電子設備。

chip123

為影音接收器和音效卡設計提高成本效益、增加性能優勢

6 Q6 _; Z2 {8 l  u! O* R2 D0 lDiodes公司近日推出了新型的8通道數位/類比轉換器 (DAC) 與前級放大器 (Pre-amplifier) 晶片，它有助於影音接收器 (Audio Video Receiver) 和附加音效卡 (Add-on Sound Card) 的設計人員減少元件成本，同時改善產品的音效水準。
2 I, e  D8 I& V: u
+ g; S* H; P, |! a4 q這款新型的ZXCZM800晶片，屬於Diodes公司旗下Zetex直接數位反饋放大器 (DDFA) 產品系列的成員。它能夠簡化電路設計，在高效能差動模式下提供高達126db的動態範圍。這項DAC解決方案能夠補足以DDFA晶片組所建立的數位放大器，發揮更強大的效能。
2 J0 }/ m& k- M: J1 R
Diodes 亞太區技術市場總監梁後權指出，目前的消費性和專業音頻產品設計，皆需要採用多個高品質的雙通道DAC，才能達到中至高階的音效表現。ZXCZM800正好提供了合適的途徑，讓設計人員大幅減少元件數目和PCB的體積。現在一般中階影音接收器和音效卡都會產生112dB 的動態範圍。Diodes的晶片能夠針對這個情況，有效對應和改善產品的音效水準。

4 Q$ k8 h* U) c% z4 Y( Z對於需要擴展產品功能的設計人員，ZXCZM800提供了前級放大器數位訊號處理 (DSP) 功能選擇，只需利用現有系統的主機處理器進行簡單的編程便可使用。例如設計人員只需要在晶片上整合按每個或所有通道操作的數位音量控制功能，便可以進一步簡化產品的設計、改善效能和減少成本。
( }# o6 q, {) o
/ n3 l% [5 Z+ R- |8 v, u: G6 w此外，ZXCZM800具有數位多工 (Digital Multiplexing) 功能，可以配合額外的數位輸入，也可以輕易實現多機共享 (Multi-room) 配置。每個通道提供14個可以由使用者自行編程的雙二階濾波器，可發揮更完善的過濾功能 – 如參數均衡功能 (Parametric EQ)。

在DAC效能標準方面，ZXCZM800的最高解析度為32 Bit。這表示它可以提供更大的延展空間、對效能表現造成更少的影響，並且能夠實現更高的輸入音效資料解析度。其最大的取樣率高達192kHz，在單端點操作模式下的動態範圍為120dB。失真和噪音在單端點模式下少於0.001%，在差動模式下則少於0.0004%。
8 `$ @- g- O( E/ N
! ?/ e: H: G! r* A$ k) HZXCZM800設有8通道展示板，Diodes將向批量生產的DAC與前級放大器設計提供相關詳情。產品並包含電路圖、物料清單和Gerber檔案。

heavy91

Diodes新型MOSFET H 橋元件

實現DC散熱扇和反相器設計

Diodes 公司推出四款H 橋MOSFET 封裝，為空間有限的應用減少元件數量和 PCB 尺寸，顯著簡化DC散熱扇和 CCFL 反相器電路的設計。
6 {5 B/ t! _' L0 p, ?
Diodes 亞太區技術市場總監梁後權指出：「ZXMHC 零件採用SO8封裝，設有兩對互補型N和P 通道MOSFET，可以取代四個分立的SOT23封裝MOSFET或兩個SO8 互補型MOSFET 封裝。它們適用於目前不同類型的馬達或其他電感負載驅動裝置，可以節省至少一半的PCB佔位面積，並大幅降低整體存貨成本。」
4 I" X6 j7 \& L& ]% M2 M
+ J% }8 s. A9 M& \4 A& E" B* qZXMHC3A01N8 和 ZXMHC3F381N8 兩款30V 的H 橋元件，可以於12V DC 散熱扇和反相器應用中派上用場，提供低通態電阻性能選擇。60V額定 ZXMHC6A07N8 和100V額定 ZXMHC10A07N8 開創業界先河，分別專用於24V DC 和 48V DC 馬達控制電路。
- E3 X0 B+ p$ Z" X

heavy91

Diodes新型雙MOSFET組合式元件

節省空間卻不折損性能

Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用。
3 O" O% A8 M) K2 \$ T
' S( j8 t' a6 {0 X, T: B6 ~Diodes 亞太區技術市場總監梁後權指出，這個N與P通道MOSFET的組合能夠代替採用SOT223和DPak (TO252) 封裝的等效元件，有助於減少電路板空間和元件數目，同時簡化閘極驅動電路的佈置。SO8充分發揮了節省空間的潛能，其佔位面積只有31平方毫米，只有兩個SOT223 MOSFET的30%。

最新雙元件封裝內的N與P通道MOSFET，在10V的閘極電壓 (VGS) 下能夠體現甚低的閘極電荷，典型通態電阻 (RDS(ON)) 分別為230mΩ 和235mΩ，確保切換和通態損耗保持在最低的水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。

heavy91

Diodes新型USB電源開關系列

改善功率耗散和減少佔位面積

Diodes公司近日擴展了AP21x1/x2產品陣營，推出AP21x6雙USB電源開關系列。它們較同類型的元件提供更細小的佔位面積、更完善的開關通態電阻和更理想的功率耗散。這些整合式高側電源開關經過了最佳化，最適合自行驅動和以匯流排驅動的USB應用，以至其他熱抽取式 (Hot-swap) 應用。該系列元件符合所有USB標準，還配有啟動輸入的兩極性選項。AP21x6系列提供經濟和小巧的實施架構，為不同系統中的USB埠帶來周全的保護。

( }3 s2 r" v: {5 KDiodes全球營銷經理許忠真表示，AP21x6系列無論在格式、裝配能力和功能上，都和業界的標準雙通道元件兼容。新元件採用了標準SO8封裝，和附加散熱片的MSOP-8L-EP封裝，能夠在-40至+85°C的工業溫度範圍下操作。Diodes在兩種佔位面積形式上，都能提供廣泛的輸出電流選擇，包括0.5A、1A和1.5A，使得這些元件可以在空間有限的低成本解決方案中派上用場，有助於保護多重USB埠。

相較於其他競爭對手所提供的同類型元件，AP21x6系列提供更快的回應速度和更準確的限流保護，而且具有反向電流阻擋功能。它們一方面可以保障使用者的安全和信心，一方面又能夠減少成本和提高質素，符合UL嚴謹的安全標準 (檔案編號：E233275) 與Nemko IEC 60950-1 CB Scheme的規範。

5 B( \4 Z" \  o% e' n$ Z0 OAP21x6系列的目標市場包括機上盒、液晶電視和電腦顯示器、高畫質電視、家庭閘道設備和ADSL、桌上型電腦、伺服器和具有USB埠的消費性電子設備。應用範疇包括USB埠保護、重電容負載、短路保護和過電保護等等。

heavy91

Diodes 新型MOSFET 元件

專攻 LED 背光應用

" A# e- R# i& T1 cDiodes 公司推出15款針對 LCD 電視和監視器背光應用的新型MOSFET元件，進一步擴展其多樣化的MOSFET 產品系列。新元件採用業界標準的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理能力和快速開關功能，滿足高效率CCFL驅動器架構的要求。

# U, v* _4 h2 {* ]9 oDiodes 亞太區技術市場總監梁後權指出：「30V 額定雙N通道的 DMN3024LSD 採用SO8 封裝，適用於推挽反相器，比其他離散式元件更節省空間。對於需要一雙互補元件的全橋和半橋拓撲，DMC3028LSD 提供綜合的高效能N 和 P 通道 MOSFET 組合。」
4 C1 \! R- b( o5 `  u
" [+ J9 t2 a. {+ G0 v% d經擴展的 TO252 MOSFET 產品系列為配備多組燈的背光應用提供最佳化的電阻和閘極電荷性能，迎合更高的功率處理要求。這9款新型 N 通道元件和三款新型 P 通道元件的漏極/源極電壓介於20V 和 60V 之間。

chip123

Diodes公司的Zetex ZXCZM800多頻道數位類比轉換器 (DAC) 和數位前級放大器 (Pre-amp)先前在美國亞特蘭大CEDIA Expo 2009展覽會上全球第一個THX Big Room音頻概念示範中，扮演了相當重要的角色。Big Room是THX Ltd公司一個全新的產品設計和認證概念，目的是把專業的音頻品質和效能帶給為專業消費者而設的放大器、前級放大器和擴音器。這些設備一般用於大型的多行式媒體室和家庭電影院。

9 @6 f9 b2 s" e: @/ M2 G( M* xDiodes的8頻道ZXCZM800在這項世界首創的示範中，成為一系列THX Big Room認可產品中的重要一員，主要用作數位交越處理器，針對系統的雙放大前端和中央頻道，提供分頻 (Frequency Division) 和等化 (Equalisation) 功能。該晶片是Zetex直接數位反饋放大器產品系列的成員，能夠支援效能相當高的多頻道DAC和數位放大器設計。
2 b; p4 _# ^' m* r! x! s/ e9 S
Diodes產品行銷經理Craig Bell表示：「假如要利用雙放大、高效率擴音器在大型房間內體現參考聲壓級效果，所有系統元件都必須符合嚴格的效能要求。直接數位反饋放大器藉著卓越的效能，以及可以讓使用者自行編程的數位訊號處理器 (DSP) 前級放大器功能，成為支援THX嶄新音頻概念的理想技術。」

ZXCZM800交越處理器提供了常用的前級和功率放大器之間所需的介面，以數位形式實現主動的交越濾波器特性，並且提供滿足擴音器要求的時間校正功能。相比於傳統的被動交越模式，數位模式可以取代昂貴的非線性元件，避免有可能出現的損耗、失真和廣泛的製造公差。系統設計師又可以通過被動的方式，實現更精細的等化功能。

chip123

ZXCZM800元件中的濾波器完全可以由使用者自己裝配。每個頻道包含14個可編程的雙二次，確保每個頻道都能夠輕易配合其驅動器，體現最完美的音效。這種功能還可以伸延至安裝點，簡化擴音器的最終選擇。另外，晶片具有獨立的可編程頻道延遲功能，用來促成驅動器的時間調整運作，以補償擴音器箱內的相對驅動器佈局。在早前CEDIA的示範環節上，低音擴聲器頻道上1毫秒的延遲，便成功體現了最完美的性能表現。
2 x# e3 ^- t, `% H0 x: z
& n$ s4 Q0 e6 j- l+ x此外，該晶片具有整合式DAC功能，有效增強系統的性能表現。當中的8個單端頻道，每個都能夠體現120dB的典型訊噪比 (SNR)，效果可以媲美高階的立體聲雙差動元件。
* u& d5 {6 H  w" A" f
' {) Q( n; v; m8 s% BTHX簡介

THX公司通過大螢幕以至電腦螢幕，為使用者帶來優越的娛樂體驗。該公司由George Lucas成立，目前正廣受全球的使用者推崇，以設計和認可世界級影院、優質音頻系統、高畫質電視 (HDTV) 和著名電影及遊戲技術聞名。無論是在電影院、家庭或路途上，所有採用了THX技術的產品皆突破傳統，品質傲視其他競爭對手。有關進一步資料，可瀏覽該公司網站，網址為www.thx.com。

tk02376

Diodes 新型低壓差調節器 有效改善系統穩定性及暫態響應

Diodes 公司近日推出新型的低壓差線性調節器 (Low Drop Out Linear Regulators；LDO) 系列 ，用於驅動具有低等效串聯電阻的 (Equivalent Series Resistance；ESR) 1μF MLCC 電容器。新型低壓線性調節器能成功減少系統製造成本，並且改善控制環路的穩定性及暫態響應。
* Q; G' w! l9 o- @* N2 U
AP731x 和 AP733x 分別屬於 150mA 與 300mA 的互補金屬氧化半導體 (CMOS) 低壓差線性調節器，輸入電壓範圍界於 2V 至 6V，能夠滿足固定或可調節輸出電壓要求。固定輸出電壓低壓差調節器的範圍界於1.0V 至 3.3V，而可調節元件則能支援 0.8V 到5V 的輸出電壓。

這些低壓差線性調節器的輸出精確度達2 %, 可以在不同的特定溫度、線性電壓及負載條件下保持一致的調節表現。它們也可在 -40oC 至 85oC的整個工業溫度範圍之間運行。

tk02376

Diodes 全球行銷經理許忠真指出：「這些低壓差線性調節器具備針對過電流、過溫及短路的嵌入式保護功能，使電路更加穩健可靠。元件的55μA 額定靜態電流顯著為可攜式低功率的應用提供省電節能的機會。」

諸如XDSL 路由器、無線區域網路卡、桌上型電腦及筆記型電腦、滑鼠、鍵盤產品以及電池驅動設備等應用產品可從這些多樣化的低壓差線性調節器獲得附加價值。

1 `1 F) M2 a3 @$ h4 nDiodes 的全新低壓差線性調節器採用業界標準針腳設計，以 SOT23與SOT25 環保型封裝，以及可減少 PCB 空間和高度的 DNF2020-6 封裝供應中。

tk02376

Diodes公司近日推出了兩款新型的N通道MOSFET元件，為網路語音電話 (VoIP) 通訊設備的設計帶來更堅固，且能大幅簡化電路和成本的解決方案。

全新的ZXMN15A27K及ZXMN20B28K元件針對多類型不同的VoIP應用而特別設計，滿足基於變壓器的用戶線路介面電路 (Subscriber Line Interface Circuits；SLIC) DC/DC轉換器對基本切換位置的嚴格要求。網路語音電話應用涵蓋寬頻系統、私用電話交換機系統 (PBX Systems)、有線電視和數位用戶迴路 (Digital Subscriber Line；DSL) 閘道器的話音運作。

兩款新元件的擊穿電壓分別為150V及200V，不用額外的保護電路也可以抵擋SLIC環境中的高脈衝雪崩能量和整流模式。再配合適當的變壓器，這些MOSFET就能夠驅動150V以上的線路電壓；同時針對六千米以上的迴路長度，提供多種用戶線。
( p) }% N$ w& w$ L" x% p" ]
這些MOSFET的輸入電容比較低，只需要極少或不需要緩衝，就可以輕易地由SLIC控制IC驅動，進一步簡化電路設計、減少元件數目及成本。ZXMN20B28K更可以在邏輯水平上，發揮低閘道驅動的能力。
' h1 e4 X2 Q/ Y" G/ s+ Y# L* a
ZXMN15A27K和ZXMN20B28K皆採用TO252-3L封裝。

heavy91

Diodes公司近日在旗下的AP21XX電源開關產品系列中增設了2款新型元件，滿足更大電流應用的需要。最新的單通道AP2101和AP2111元件可以提供2A的連續輸出電流，而且經過最佳化後，可以在自我供電、匯流排供電的應用以及其他3V至5V的熱抽換 (Hot-Swap) 應用中派上用場。
( ~8 \$ t0 q* M) m: _+ Q9 q
這些電源開關採用SO-8和MSOP-8L-EP封裝，配備簡單並具有成本效益的外殼設計，適用於不同的消費性電子、通訊和電腦產品。AP2101及AP2111皆屬於高階元件，分別為工程設計師帶來針對較高和較低活動率的生效功能選擇。
- ?0 z2 I8 F0 |
, ~3 \' X+ p! F新元件的暫態反應時間快至5微秒，能夠避免不必要的系統中斷及重新起動，有助於提高系統的整體強度。這些電源開關也具備自動輸出放電功能，使輸出電壓電容器能夠進行快速和清晰的放電。
3 A1 b+ E1 U' D5 f+ c1 b9 x! A
像AP21XX系列中的其他產品一樣，AP2101和AP2111新型元件能夠針對需要處理大型電容負載及短路問題的應用，提供全面的保護解決方案。AP21XX元件具有反向電流阻擋、過流、過溫和短路保護功能，以至完善的上升時間控制和欠壓鎖定功能。  

, K( d. P) v% ^, r& L7 @為了減少系統線軌的功率要求和相關的電路成本，AP2101及AP2111具有相當緊緻的2.45A電流限制容差。另外，當中的開洩極旗標輸出具有7毫秒的抑峰 (Deglitch) 效能，有助於避免過流報告出現錯誤，也不用添加其他外部元件。

chip123

Diodes公司近日推出了新型的0.5A單通道電源開關元件，經過最佳化，特別能針對USB埠保護及其他3V至5V熱抽換式互連的需要。最新的AP2145 (低準位動作生效 ；Active Low Enable) 與AP2155 (高準位動作生效；Active High Enable) 元件為消費性、電腦運算和通訊應用提供了完整的保護解決方案，實際運作則取決於可能出現的重型電容負載和短路情況。
" ~& T6 j0 a4 P' U0 d
( k5 n& v: J) k( a5 H4 ]' Q這些電源開關完全符合USB標準，並採用了業界標準的SOP-8L和外露焊墊MSOP-8L-EP封裝。它們的暫態反應時間快至10微秒，能夠避免不必要的系統關機或重新起動。此外，它們還具備準確的1A電流限制能力，有助於減低系統線軌電流要求和相關的元件成本。  
9 e( s2 h- a7 H# K
# |2 G4 E6 ?! N+ TDiodes的AP21X5零件可提供逆向電流阻擋、過流、過溫和短路保護功能，以及妥善控制的升壓時間和電壓過低鎖定功能，大幅改善USB埠的結實度。此外，元件的標記輸出內建了7毫秒的抗尖峰脈沖期 (Deglitch Period)，在不需要任何外部元件下，可以避免錯誤的過流報告。

這些電源開關已得到UL和IEC60950-1CB認證，符合業界最嚴格的安全標準。操作溫度在–40°C至+85°C之間，在關機模式下最大的電流消耗量只有1微安培。

heavy91

為低雜訊降頻器設計節省成本並化繁為簡
; y4 C1 Y" F# r/ N
# Y. w& t, [9 n8 s9 ]3 O+ z# Y【2010年1月26日.台北訊】Diodes公司近日推出一款具有高度整合並適用於低雜訊降頻器 (LNB)的偏壓、控制和功率管理IC – ZXNB4204。這款新元件能夠減少離散元件的數量和PCB的體積，並且可以提高效能表現和可靠性，妥善地處理場效應管 (FET) 與 混頻器的偏壓、通道偵測及控制，提供穩定的電源以支援新增LNB的功能。

這款LNB控制器採用了3 x 3毫米的16腳QFN封裝，只需要3個外部元件便可以支援;假如採用主動型混頻器 (Active Mixer)，所需外部的元件更可減至2個。ZXNB4204能為多至4個的砷化鎵 (GaAs) 或高電子移動率電晶體 (HEMT) 場效應管 (FET) 提供偏壓功能，同時為3個低雜訊放大器 (LNA) 級和主動型混頻器提供相當穩定的控制。ZXNB4204 可以在所有操作狀態下增強LNB的效能，簡化生產整頓的要求，同時還有助於保護敏感的低雜訊放大器級，避免在起動時出現尖峰訊號以及其他故障狀況。

該晶片也利用一個精確的板上電壓偵測器進行訊號測量，同時切換於橫直線性及左右圓偏極化訊號，符合全球所有單頻LNB的規格。ZXNB4204並且能夠抑制在暫態響應及其他現象中產生的不必要訊號，有助於避免切換出錯，也可以提高機上盒 (STB) 的可靠性。
5 \* H. Z! @7 G0 N5 v* |! |; P
4 {- ?8 O9 p  O3 K4 }此外，ZXNB4204具有一個穩壓器，用來驅動內部電路和供電給額外的LNB元件，如中頻增益級 (IF Gain Stage) 和本地振盪器 (Local Oscillator)。藉著整合這些功率管理功能，LNB控制器能夠針對過載、過溫及安裝失誤等情況，提供完善周全的保護。

heavy91

Diodes新型高壓二極管陣列足以抵擋電話線路瞬變
8 ^$ M3 d& H+ I+ l) m: z1 }8 `- k& m
Diodes公司近日推出MMBD5004BRM四重開關二極管陣列，該元件的額定擊穿電壓為400V，能夠針對直接存取配置 (DAA) 調變解調器尖塞和振鈴電話線路介面，以及綜合離線整流應用環境的需要，抵擋最嚴峻的電話線路瞬變。
+ X3 B$ N) e# y9 r/ q
這款二極管陣列結合了更快的開關速度 (trr=50ns) 和低結點電容值 (在VR=0V及 f=1.0MHz下的典型值為0.7pF)，是保持高速訊號完整性的理想解決方案。另外，它的連續及峰值電流額定值分別高至225mA及625mA，能夠滿足DAA調變解調器的需要。
3 f) [0 ~9 ]4 {8 z1 e7 R7 a
" [$ _! I, n: J8 x6 }MMBD5004BRM採用了體積小於目前很多微型橋解決方案的四重二極管配置，把兩對分開的串聯連接二極管連結成一個全波橋式整流器，最適合在一些講究電路板體積及成本的應用中使用。

tk02376

Diodes雙極電晶體採用新型PowerDI5封裝 大幅節省電路板空間
7 ^5 V6 r4 r* v% f新型的封裝盡顯體積和熱能管理優勢 比體積更大的SOT223和DPAK (TO252) 產品節省更多的空間成本
/ c/ I! k% H3 [; F  p! ?
Diodes公司近日推出了第一批採用其微型PowerDI5表面安裝封裝的雙極電晶體。應用 Diodes第五代矩陣射極技術，這些率先問世的12款NPN和PNP電晶體，能夠為設計人員大幅提高功率密度和減少解決方案的體積。
! S! ~& y1 `5 |8 ~$ w, r. p
. C9 ~, r! n! C8 ]/ H4 o0 BPowerDI5的面積只有26平方毫米，電路板空間比SOT223封裝減少47%，也比DPAK封裝減少了60%；並且，離板高度只有1.1毫米的PowerDI5，相較於1.65毫米高的SOT223封裝和2.3毫米高的DPAK封裝顯得更加輕薄。

tk02376

PowerDI5最小的銅板電功率額定值 (minimum copper power rating) 為0.74W，表示它可以在小面積上展現相當優越的熱性能，大幅改善功率密度。它在25 x 25毫米的銅和FR4物料上的75ºC/W額定熱電阻提供了1.7W的電功率，使其在熱性能的表現上遙遙領先，並取代了SOT223封裝在許多應用上的地位。

第一批採用新型PowerDI5封裝的NPN和PNP電晶體，適用於數據通訊、電信、馬達驅動和電池充電器等相關應用上。  
, ^. U5 s4 L+ m5 s
/ u' q9 M: `; a新型元件DXT2013P5、DXT2014P5和DXTP03200BP5的額定電壓分別為100V、140V和200V。它們的低飽和電壓和具有快速切換開關的特性，有助於改善用戶接線口電路的直流 – 直流轉換器 (SLIC DC-DC converter)效率。在線性電池充電器中，具有低飽電壓的20V DXTP19020DP5能夠確保充電器即使在較低的輸入電壓下，也能夠把電池完全充滿。
8 z! K' {' d: ~- i9 l8 r, S
額定電壓為100V的DXTN07100BP5，透過小巧的封裝體積和低熱阻滿足48V穩壓器應用的需要；DXT5551P5則可作為電信線性驅動器，在需要比較高電壓的環境下，滿足長距離通訊線路的需求。

atitizz

Diodes公司推出六款新型高側電源開關，為廣泛的自行供電和總線供電USB 應用及其他熱插拔 (Hot-swap) 應用提供完善周全的連接埠保護。該款 AP21x2A 雙通道元件專為承受高電容負載及短路而設計，兩極都設有啟動輸入(Enable input)功能，可以提供0.5A、1.0A 及1.5A的最大額定負載電流。
, n" ^( a0 x# W2 \
Diodes AP21x2A 提供快至2微秒 (2µs) 的暫態反應時間，能夠防止假性停機或重新啟動，有效提高系統強韌性。該元件可以提供0.8A、1.4A或2.0A的精確限流，具備超溫和短路保護以及升壓時間控制及欠電壓閉鎖功能。

AP21x2A產品整合了一個自動輸出放電功能，為關閉的輸出電容器電壓提供控制放電，並能夠提升現有雙通道產品的導通電阻能力。該款電源開關的錯誤報告標誌內設定了7 毫秒 (7ms) 的抗尖峰脈衝時間，不需要額外的外部元件就能夠避免任何過流報告錯誤。產品封裝採用業界標準接腳，提供 SO8、MSOP-8、MSOP-8-EP 及 DFN3030E-8 四種選擇。
3 t: y; W' W" L9 I% I0 W
該元件已經取得UL和IEC 60950-1CB認證，具產品品質及公共安全保證。元件在常壓下的操作溫度範圍為 –40℃至+85℃ 。

chip123

Diodes公司推出六款具備高可靠性的電流監控器產品系列，適用於40V和60V操作。最新的ZXCT108X 元件能偵測高側感應電阻器中的電流，提供接地參考，進而降低系統電路複雜性及成本。

新元件提供廣泛的電壓供應及共模電壓範圍，因此適合各種應用。ZXCT1083、ZXCT1085及ZXCT1087 支援2.7V至40V電壓，適用於工業及電腦電源應用。ZXCT 1082、ZXCT1084和ZXCT1086提供2.7V至60V額定電壓，適合處理汽車負載突降和SELV電路。
" v; M; O6 c  G; [% a+ H" K
* g* q5 N' @9 f4 @3 |新型電流監控器擁有獨立電源及共模電壓輸入，即使在超過正常電源供應軌的情況下，也能夠檢測到電流。同時，新監控器的靜態電流低至0.6微安 (µA)，能顯著降低相關測量失誤。

9 d$ y' Y, [4 P2 R( J' i該產品線為用戶提供固定電壓增益和可編程增益兩種選擇。ZXCT1084和ZXCT1085 提供的固定電壓增益為 25，ZXCT1086和ZXCT1087的電壓增益為50。ZXCT 1082和ZXCT 1083 採用三個外部增益設置電阻器，提供廣泛的增益範圍並實現頻寬的最佳化，讓產品功能更完善。
& |; E$ f# }9 f: r# e7 d5 x
Diodes 新型電流監控器採用小型SOT25封裝，使用綠色環保的塑封材料。該元件的工業溫度範圍介於 –40℃ 至 125℃，能夠支援汽車和更高溫度下的應用。