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請問各位類比大師們
) B' J/ O+ }. I; I) r* C( ^我手上有一個之前的舊電路,為了換新model,所以要重跑模擬
3 Q7 s( m6 S' ]# Q$ V但是裏面有一些 MOS的W與L 都不在 新model 可以搜尋到的範圍裏面,所以spice無法模擬+ q% I( x9 ^$ I
; ?! H1 r7 w g
以下是其中一顆NMOS的W,L值: T4 A4 }7 k. B2 H% Z+ h! }; a
|3 K8 |* R! Y4 U: mM1 D1 G1 S1 B1 n W=1U L=150U
! ~4 k0 W. t. |
- @0 p5 h0 P3 i9 o7 z對照下列的model的表格,我們會找一顆比較接近的mos size,然後改成n.10,讓spice可以模擬9 K% i! Y; j8 r$ {
: Z( x" R+ i$ C+ H0 `' b1 d7 `) y
如果以M1這顆MOS的range與n.8最接近,所以我會copy一顆n.8的MOS參數,然後取名為n.100 X; N) S% s% D, H# E0 g
再將L的的值修改如下. E( q8 a- ^9 Y$ _# N7 Z5 T
, E& E& R! o. p& x( Pn.8 + lmin = 1.2e-006 lmax = 1.02e-005 wmin = 5e-007 wmax = 1.2e-006 9 B5 L& V/ h6 K+ R
修: R; K6 m9 i1 ~' N' A7 g
改$ ~: S: Z# ^' i
如
! y t Z' y {: g6 e; K 下3 l. @% Q+ ^ `6 Z$ d6 Z4 h
n.10 + lmin = 10e-006 lmax = 150e-006 wmin = 5e-007 wmax = 1.2e-006
# u" m5 Z: c; P6 f, G8 {6 d1 z/ b: g, H( S, p/ Q, }; W; R
U& J* Z: j4 ?1 i6 b# |% r
' M, x% x' \9 g7 O# G
請問我這樣的方法是最適當的嗎?會不會到時侯最後作出來的電路與模擬有很大的誤差??
2 `) L$ U( P: M8 i4 v: } q0 c' g) U$ Z6 l
[0 y+ n" P( c, Amodel的表格
/ f# I% r# }* p- F, |, yn.1 + lmin = 1.65e-007 lmax = 5e-007 wmin = 2.05e-007 wmax = 5e-007" a, d4 A" X h; G0 f. o
n.2 + lmin = 1.65e-007 lmax = 5e-007 wmin = 5e-007 wmax = 1.2e-006
- @4 t: R" d0 |* B5 V1 N5 \' x+ vn.3 + lmin = 1.65e-007 lmax = 5e-007 wmin = 1.2e-006 wmax = 10.02e-005
% ?* t( u' i [& bn.4 + lmin = 5e-007 lmax = 1.2e-006 wmin = 2.05e-007 wmax = 5e-007
6 {( ?* h3 k+ j7 mn.5 + lmin = 5e-007 lmax = 1.2e-006 wmin = 5e-007 wmax = 1.2e-006
: K, t. _7 R T9 bn.6 + lmin = 5e-007 lmax = 1.2e-006 wmin = 1.2e-006 wmax = 10.02e-005. i6 l1 B; o+ }' v9 S& h
n.7 + lmin = 1.2e-006 lmax = 1.02e-005 wmin = 2.05e-007 wmax = 5e-007
/ o4 E& h4 U4 T5 t7 jn.8 + lmin = 1.2e-006 lmax = 1.02e-005 wmin = 5e-007 wmax = 1.2e-006
# z+ ~2 _8 p1 E5 B( `n.9 + lmin = 1.2e-006 lmax = 1.02e-005 wmin = 1.2e-006 wmax = 10.02e-005 |
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