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[問題求助] VDD、GND line的寬度如何拿捏

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1#
發表於 2010-4-29 13:05:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
VDD、GND line的寬度如何拿捏
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2#
發表於 2010-5-7 16:21:35 | 只看該作者
要看你的lis檔電流有多大
0 d/ ?. j/ H7 A. |7 g- `. B# G然後再看製程檔有個地方會說電流多大~就要多大的寬度0 O" x. \, e% F' n6 o
舉例: 如果是.35製程
& o* v" Z9 n! v" A' h) I: D1 s     電流3mA就要layout畫3U
9 v0 a3 K- `2 V6 v0 z但通常VDD與GND最少也要20~30U
3#
發表於 2010-5-9 15:40:47 | 只看該作者
Design rules文件有時會寫Contact M1 Via1 M2...可通過電流量
4#
發表於 2010-5-9 22:16:50 | 只看該作者
还需要考虑走点电阻 如果走线实在太长 电压drop 可能导致chip 内部得到的电压太低而fail
5#
發表於 2010-5-21 11:06:03 | 只看該作者
应该是越粗越好吧。。。。
6#
發表於 2010-7-6 11:36:02 | 只看該作者
能大就大也要考慮到IR Drop
7#
發表於 2010-7-10 11:31:08 | 只看該作者
1 从EM角度考虑,计算所有的电流值,根据Process manual计算;, \! S3 m, L3 N7 w& E
2 与Circuit designer讨论,IR drop的要求
8#
發表於 2010-7-21 13:24:48 | 只看該作者
那如果說 我的電流1mA  那power的線也可以畫20u~30u嗎
9#
發表於 2011-4-1 18:19:22 | 只看該作者
主power line 取決於IC動作時需要的電流有多大,可以請designer 決定.通常15um~30um都有,也有更大的.但是太寬會有metal slot的rule必須注意.否則會產生集膚效應 . 另外主power line的寬度也會影響ESD的能力.所以也不能太小.至少15um以上應該比較適當.
10#
發表於 2011-5-9 14:33:53 | 只看該作者
1.主要要了解RD能接受最小的寬度為多少,(基本上當然越寬越好,不過還是有面積考量)+ n/ `7 ?3 i' G- T- m+ @
2.每一主幹接到多少BLOCK,還有多長,這些都是IR DROP須要考量的
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