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[問題求助] 請問功率二極體/電晶體是使用什麼製程呢?

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1#
發表於 2010-3-24 21:59:53 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教版上各位先進,功率二極體/功率電晶體是屬於高壓高電流的功率元件,必需使用什麼製程來做呢?, W1 c1 J7 i3 c) {) |
隨著電流電壓規格的不同,是否製程也會跟著改變呢?
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2#
發表於 2010-3-28 14:11:09 | 只看該作者
可以去翻翻製程的書
: A5 e7 g, G# K, m
8 L, X# I' T2 d$ p' U3 T' Q或者是製程文件
% W5 _& [% ^0 K2 ]/ @) ]9 s7 k. M) P; C: z
再不然把元件書看一看可大概知道是用那些製程完程!
7 H: p4 u% H; C. \. a! w8 ]. D- N; z0 D4 h/ m- _- i
然後以模擬方式去找嘗試
3#
發表於 2010-3-29 12:47:28 | 只看該作者
我们实验室有用.13的锗硅工艺做的
4#
發表於 2010-3-31 08:34:29 | 只看該作者
工艺文件不是都有说明的吗??. K' w# M' l  [
都会有个process flow
, J; I! y& `! T* y' j0 b" E! m1 B* n
CMOS中功率器件只是多了个层次或者改了些规则而已啦。。
4 `$ ?+ e) W( F# G比如提高栅压或SD间距
5#
發表於 2010-4-26 18:16:00 | 只看該作者
好像是BCD製程?
1 B$ H9 r: N& O7 A: ~( l7 N* e0 C雙載子CMOS高壓製程?
( a. y6 g1 I' ~" g1 k您可以再查查看
6#
發表於 2010-8-11 21:54:22 | 只看該作者
看看电子工业出版社的 半导体制造技术吧!
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