2X Charge Pump Converter 的設計問題

shaq

Dear all,
今天在模擬 Transistor Level 的 2X Charge pump converter 時，有些問題想請教...

我現在把 Switch 換成 PMOS. M1與M3為 Charge phase 時會打開的開關；M2與M4為Transfer phase時打開的。
CK與CKB 則為互為反相的Pulse

現在我Vi用2v，但是 Vo 打不上4v...
請問是哪邊出問題？ （之前用 Gswitch 去模擬是正常的）

finster

建議你看一下你的電流和clock速度
依照電容公式,C=it/V,如果你的電容過大且充電時間過短,V會在充電不到兩倍電壓時便被停止
此時,輸出電壓當然不會是你所設想的情況

yutian

請問這時你的輸出Vo是不是為Vi-Vth?還有你的PMOS的substrate接哪里呢？

gimayon

1.buck 電壓
2.dead time
3.開關順序

yutian

shaq,能否把你之前的circuit貼出來呢？
分析一下

monkeybad

另外你開關的電阻造成的壓降也要考慮進去
不然你就用W/L大一點的開關試看看

shaq

抱歉，這麼久才回這一篇...

電路架構就如同我第一篇貼的...

我現在的尺寸是 W=5u, L=0.5u, M=600  每顆都是這個尺寸...
Vin=2.5v 時，Vout 大約為 4.33v

看來現在的尺寸不夠大...我想把 W=5u 變成 200u，M用小一點試試看...

yutian

我還是想問一下，既然Vin=2.5v 時，Vout 大約為 4.33v，那么PMOS的substrate應該連接電路的最高電位，不是你是不是這么連接的呢？

shaq

原帖由 yutian 於 2008-3-21 09:15 AM 發表
我還是想問一下，既然Vin=2.5v 時，Vout 大約為 4.33v，那么PMOS的substrate應該連接電路的最高電位，不是你是不是這么連接的呢？

基本上，我用 Verilog-A 寫一個 Body Voltage Level Selection 的功能
就拿 Vin 跟 Vout 去比..看誰的電壓高，Body 就接到那。

cicer

关注RON导通电阻,
时钟的绝对频率及BBM

理想情况才是2X,实际上会小的

sensing

基本上,當無負载接上時,這各電路有機會得到2x的Vin 電壓

switch 改大一點, substrate 要接在正確位置

adele

为什么管子要这么大，请问电容值是多大，电容都是用moscap还是mimcap?
请问，管子的大小和电容值的选择有讲究吗？
不太明白，请不吝赐教！

adele

有介绍用pmos作switch的paper吗,
用pmos好处是代替nmos，这样就不会用到deep Nwell 那层mask了！

aleck

請問你的clk/clkb 的電壓是和vi一樣嗎?
如果是,你如何確保pmos可以完全off,當操作在 Charge phase 時...
除非 clk/clkb 的電壓=vo .

scy8080

确保clk/clkb是非交叠的，否则输出电压上不去

birdqiang

如果用pmos作开关，需clk信号电压大于vi和vout才能让pmos完全关断，考虑产生一个电压幅度double vi的clock

Zuman

基本上，我用 Verilog-A 寫一個 Body Voltage Level Selection 的功能
就拿 Vin 跟 Vout 去比..看誰的電 ...
shaq 發表於 2008-3-21 10:30 AM

    这样是对的~~你负载是怎么样的情况，太大了的话也可能达不到2X情况，还有就是PMOS开关管的栅极驱动够不够·~

Zuman

有介绍用pmos作switch的paper吗,
用pmos好处是代替nmos，这样就不会 ...
adele 發表於 2008-10-17 02:40 PM

    PMOS做开关的话想对于nmos，开启更加容易，导通阻抗也比较小，但是面积会很大~~

nivek

M3也用PMOS嗎? 對地開關用PMOS應該會有導通的問題~