如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi
- a( K* o0 |$ L2 _, y0 Q( n0 e9 F7 B
(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
+ f% A4 n5 T" Z$ \+ U0 DLV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL

5 G8 ]5 ]8 G2 B. ?* B) G5 S4 n8 f(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，

如果沒錯的話，以小弟的猜測，
5 _- z) j- z1 H+ K: ?
7 C( _) ~: I) u, s% N+ |你有可能把電路整個都是用類比的訊號，

) A6 W: m, t$ Q, }0 b& n$ b類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
( ?' d: o% x% o, L1 k- o. G4 r7 R
% E4 L6 M# H2 T& @4 NLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
6 C' k4 H0 u9 y! q
LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
6 z4 x: G8 O) @7 ]; R( y0 m第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
! Y, f8 f5 a- j8 T另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
: m! |1 N# P. n才有辦法了解原因為何

若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。