GGNMOS 與 GCNMOS做ESD

shkao0201 · 發表於 2009-5-7 16:53:13

請問各位: GGNMOS 與 GCNMOS做ESD protect,哪一個比較好呢??又各有何優缺點??

semico_ljj · 發表於 2009-5-8 12:26:02

现在“GCNMOS做ESD protect”用的比较多，但是GGNMOS比较简单，普通过2KV的也可以！

daidai · 發表於 2009-5-14 08:58:10

GCNMOS has lower trigger voltage than GGNMOS. That means GCNMOS can protect internal core more.

klim · 發表於 2009-6-24 13:45:13

GCNMOS其實可以細分成兩種,
一種是有實際的電容在NMOS gate端;
另一種為使用寄生的電容, 故只會有實際的電阻在NMOS gate端,
請問那一種比較好?

dylan8 · 發表於 2009-7-7 00:35:50

應是實際電容較好...可直接評估保護元件開啟時間
寄生電容不易判斷大小

semico_ljj · 發表於 2009-7-10 12:19:36

其实GGNMOS的耦合Cap也足够了，一般应用也可以了！耦合Cap的值不需要很精确！

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