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想請問各位大大我使用的製程是UMC18# |4 ^1 Y5 Q+ S$ {! a# R3 e
2 U8 M* x9 H$ z& H+ {& j8 v要如何知道製程的參數?0 {3 }$ r. ~, v: w9 j" d0 T( h
如:Va , λ ,uncox等等...( L+ h. O: O5 m% t: O" R
有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同
1 l4 ]# L1 q+ _0 m3 ~ro=1/gds
8 U7 w/ t# J3 q3 h" w v( _ro=1/λ*idsat$ Y* @$ r0 E. N' i: e
λ=1/va*L
3 R. x# x: j2 a O* l0 L3 S X: f7 Z7 [5 R, F6 u! e
例:
4 q4 i3 O! H+ r( ]5 O4 YPMOS(saturation) PMOS(saturation)7 k% o/ A* p7 D9 e& U; P* d3 |! \
W=25u L=0.5u W=25u L=0.5u5 Z d& r* d$ ^/ B! H
id -8.907e-05 -8.588e-05% y9 S8 N4 \6 d: H. y
gds 7.941e-06 5.289e-06+ {+ x1 ?* E* Y% f, U
9 X: M9 e* c! I
算出後:
" v" o* K8 W, a) {" D. k0 i1 s# Kλ 0.089 0.0614 M* U) K5 T4 N: n( K& r" M5 C4 {
7 x0 J6 S# R( T6 x9 x
3 U* q, U7 N% r* `! `$ h; f, C
看有些論文寫說λ是工藝給定的
& k O) Y1 Z" S1 f9 ~哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?2 D; K! K/ n, W1 r5 _* G. u$ c
$ u8 {) ^8 G6 u2 o$ }4 Z( s |
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