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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請問關於tsmc018製程裡面的pwell
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[問題求助] 請問關於tsmc018製程裡面的pwell

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tshiu
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1#
發表於 2009-10-26 16:11:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL+ Q; }; X. b: T2 S, _2 h$ s
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎
& o' S  G3 _2 P9 _7 z* [7 j9 P* G3 o(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)
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tshiu
2#
 樓主| 發表於 2009-10-26 18:10:57 | 只看該作者
目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序8 R2 H+ t6 Q' [# |6 ~8 w4 O
可以增加NMOS的參雜濃度
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3#
發表於 2009-10-27 22:44:59 | 只看該作者
當你sub的電位不一樣時
# n: A& Y2 Z, F6 K2 _/ A                                                    7 m+ T/ w: N2 B% T1 }. Y
也可以使用！
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4#
發表於 2009-10-29 15:01:52 | 只看該作者
通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…
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5#
發表於 2009-11-11 10:14:45 | 只看該作者
看你ㄉ 製程 決定% \( K! A9 L) \  C4 \& p
通常 T ㄉ  PWELL 光罩 : W6 }' \( H: L% i8 k
都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來3 F$ o& L4 A9 M" ^: @; Q* F' B. V
所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　/ C9 D0 N. L8 F" z  g0 w4 {
和　光罩製程資料
+ n: c8 j) X: n6 E2 \5 V　
+ `6 w3 T8 F! ?0 B/ B5 a4 UPWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程
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