transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
9 L; R  ^  H, P在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
0 |, U9 ~- p9 ]9 S3 t: Z內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
& J8 j! g+ a, @/ f4 h, D, f0 y跟tri-state(pad接在gate)
# x# D7 @$ b& M/ v+ s# Z- Z! m0 Z# G兩者，哪一個ESD的能力比較強
6 z0 L3 c* E: i! z3 Z2 S  B3 q而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
: k; P% Z8 T; _! l) s9 c那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
% O4 r* |. c3 [9 f) Zlupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
* L0 \* J% k- M! A. c* i+ G0 |, R% _( i
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

- d2 n! [5 m& S


  F- \5 h, H/ f+ l5 r& j( Q5 _- T6 ^9 |
    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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