關於HSpice模擬問題

syot

請問一下:
目前我使用TSMC 0.35mm MIXED MODE (2P4M,3.3V/5V) POLYCIDE 製程
我做了一個雙電源的OP
原本電源是給予+ - 1.5 V的電壓
不過我在輸出級加了一個push-pull source follower的output buffer來降低輸出阻抗
3 D! Q) ~" w$ h0 C但這樣使得輸出擺幅降低了不少!!
因此,我打算把電源增加到+ - 2.5 V來使輸出擺幅加大
不過在模擬的時候是要模擬.lib 'xxx.l' TT
4 D) Q, W$ _/ [( S3 i( c0 S  }還是TT_5V這個!!
, H* U" f; \  r1 L' N兩種模擬出來的結果差滿多的@@
* |7 ^. i. g- e' Q" O! F, ~這邊我不是很清楚
5 ~- I* B: k& t) P8 Y
感謝!!

Malong

你敘述的TT和TT_5V是二個不同的Device，
/ l# m8 w1 Q" U! _一個是3.3V的元件，另一個是5V的
$ j7 v" m" V( F/ b4 ]( j5 t8 R請考量你的所需，選擇適合你要的Device
/ O: `" j0 D4 T- C  S另外，也請參考技術手冊的資料，相信對你會有幫助的。

syot

TT和TT_5V是二個不同的Device

再請問一下:
我知道TT跟TT_5V是不同的device model
那它們在佈局上的結構有不同嗎??
我想問的是如果我power用+ - 2.5V
( v0 \! z3 p. E; b3 N$ U但model用TT(3.3V)來模擬
' k( Y2 `5 O) d7 x6 U, q" B那結果是正確的嗎??
7 S7 _% I- o- y. V- ]" z) C, N換句話說
8 S  R4 `; A: A' `& F. S) W我device用TT(3.3V)
而OP的power用+ - 2.5V
這樣電路運作上會有問題嗎??
: M' ?& z' M/ Q( y/ b& r) y; u8 f
感謝回答!!

小美

TT_5V 的話 你所使用的MODEL也會不一樣喔

0 h, b9 J$ M6 P8 i5 f1 r! B例如原本使用3.3V會是PCH 改成5V的話會變成PCH5等等
5 F2 v' u/ X# Q9 \
8 W8 \- h+ L' }: r另外你電壓加高 原本的VOV也都會變動了 不一樣的結果是很正常的

7 [/ @" q0 }. k5 u8 E% j& I6 a你要增加輸出擺幅的話應該考慮輸出級的VOV值是否太大
) T. |- M/ \) g/ X4 J7 R
或是採用rail to rail的形式去設計你的OP

不然你增加最高電壓造成功率消耗增加是很不划算的

以上是小弟的一些潛見  有誤的話煩請高少指教解說囉

Malong

3.3V和5V MOS在佈局上一定有不同
4 T3 k; L& Z# ]但小弟許久沒接觸TSMC 0.35um的製程了
- l8 a! i4 A- r0 E我也不知道他二者的差異在哪。

關於你說用3.3V的device來做power 為+- 2.5V的OP
這方面我覺得有所不妥，但要看你電路的架構為何，output Swing的需求
因為用電路的方式偷耐壓也是有的，而且3.3V的元件加5V也不見得會損壞。