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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
8 V- c5 I' a; I0 Z7 T4 R
  J6 A0 o4 U& I( i  l2 E- l$ ROD2作用:
: {6 X: b7 U# D% r. B1. 增加阻值
/ _; v. W% H+ ^/ v2. 防止電流過大而導致元件燒毀
. E5 }; C0 I7 l3. 通常用於高壓製程上
& L8 S- N( g4 U: Z; I! B' n7 m& V# E( ^' k+ e6 I* e; s
SAB作用:; T( `3 }9 g" L, W. y1 J
1. 可以用來計算電阻值
5 r1 ^7 [$ A6 H8 O! @2. 降低阻值
8 U! U  `6 t5 m/ n8 m& x" \0 U. u0 y3. 防止LDD的尖端放電
" E1 s  I  y0 n" b
! L; o4 Q$ g7 q* G" L* S# g4 L0 d8 o9 @7 \/ E+ A; T0 F
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 3 @# U  A4 m5 ]' P. V: |3 {. m

$ K; b: o5 _$ [個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: C9 s! H3 K* _$ o( T8 B) K
+ [. G9 k6 f. I9 O$ [" P/ A有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
9 S3 V  Q  W1 f8 C3 T
# D: y- k  j& R8 o  e蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
  o# l0 L  E$ g3 g0 j# M1 r能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚- ]* R. s- C# e. L* E0 y
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
5 ?' K9 b2 c6 jSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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